[发明专利]复合寿命的控制方法有效
申请号: | 201880053627.X | 申请日: | 2018-08-08 |
公开(公告)号: | CN111033709B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | 竹野博 | 申请(专利权)人: | 信越半导体株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;C30B13/10;C30B29/06;H01L21/322 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;谢顺星 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 寿命 控制 方法 | ||
1.一种复合寿命的控制方法,其通过进行准备控制载流子的复合寿命的硅基板的准备工序;对准备的所述硅基板照射粒子束的粒子束照射工序;及对所述粒子束照射工序后的所述硅基板进行热处理的热处理工序,控制所述硅基板的载流子的复合寿命,所述控制方法的特征在于,其具有:
在进行所述准备工序之前,预先对氮浓度不同的多个试验用硅基板照射所述粒子束后,进行热处理,测定所述多个试验用硅基板中的载流子的复合寿命的测定工序A1;及
取得测定的所述复合寿命与所述氮浓度的相互关系的相互关系取得工序A2,
基于取得的所述相互关系,以使所述硅基板的所述热处理工序后的所述硅基板的复合寿命成为目标值的方式,调节所述准备工序中准备的所述硅基板的氮浓度。
2.根据权利要求1所述的复合寿命的控制方法,其特征在于,所述硅基板由通过浮区法培养的掺氮硅单晶制造而成。
3.根据权利要求1或2所述的复合寿命的控制方法,其特征在于,所述准备工序中,使用氮浓度的偏差被调节至目标的氮浓度值的10%以内的硅基板。
4.一种复合寿命的控制方法,其通过进行准备控制载流子的复合寿命的硅基板的准备工序;对准备的所述硅基板照射粒子束的粒子束照射工序;及对所述粒子束照射工序后的所述硅基板进行热处理的热处理工序,控制所述硅基板的载流子的复合寿命,所述控制方法的特征在于,其具有:
在进行所述准备工序之前,预先对氮浓度不同的多个试验用硅基板照射粒子束后,对每个各个氮浓度的试验用硅基板改变热处理时间而进行热处理,测定相对于每个各个氮浓度的试验用硅基板的所述热处理时间的变化的、所述多个试验用硅基板中的载流子的复合寿命的变化的测定工序B1;及
对每个所述各个氮浓度的试验用硅基板取得测定的所述复合寿命的变化与所述热处理时间的变化的相互关系的相互关系取得工序B2,
基于取得的所述相互关系,以使所述硅基板的所述热处理工序后的所述硅基板的复合寿命成为目标值的方式,根据所述准备工序中准备的硅基板的氮浓度调节所述硅基板的所述热处理工序的热处理时间。
5.根据权利要求4所述的复合寿命的控制方法,其特征在于,所述硅基板由通过浮区法培养的掺氮硅单晶制造而成。
6.根据权利要求4或5所述的复合寿命的控制方法,其特征在于,所述准备工序中,使用氮浓度的偏差被调节至目标的氮浓度值的10%以内的硅基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造