[发明专利]具有导电性纳米结构的多孔质导电体、使用了该多孔质导电体的蓄电器件有效
| 申请号： | 201880053703.7 | 申请日： | 2018-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN111033659B | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 星野胜义;菅原阳辅;山田理央;马郡葵;青木信之;土师圭一朗;村松大辅 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人千叶大学;株式会社巴川制纸所 |
| 主分类号： | H01G11/30 | 分类号： | H01G11/30;H01G11/70;H01M4/02;H01G11/02;H01G11/68 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 陈彦;宋海花 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 导电性 纳米 结构 多孔 导电 使用 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种多孔质导电体，是作为蓄电器件用电极使用的多孔质导电体，其特征在于：
所述多孔质导电体具有基材、以及形成于基材上的多个导电性纳米结构，
所述基材为金属纤维片，
所述金属纤维片为由不锈钢纤维或铜纤维形成的金属纤维片，
所述导电性纳米结构包含银、铜、钴中的至少一种以上，
所述导电性纳米结构为树枝状。
2.根据权利要求1所述的多孔质导电体，所述金属纤维片为由铜纤维形成的金属纤维片。
3.根据权利要求1所述的多孔质导电体，所述金属纤维片为由不锈钢纤维形成的金属纤维片，所述导电性纳米结构包含铜、钴中的至少一种以上。
4.一种蓄电器件，其包含权利要求1～3中任一项所述的多孔质导电体作为电极。
5.根据权利要求4所述的蓄电器件，所述蓄电器件为氧化还原电容器。
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