[发明专利]热电材料以及热电模块在审
| 申请号： | 201880053991.6 | 申请日： | 2018-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN111033772A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 鹤见重行;安田和正;早乙女刚;小矢野干夫;豊田丈紫;的场彰成;南川俊治 | 申请（专利权）人： | 株式会社白山;国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;石川县 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;C01B33/02;H01L35/26;H01L35/34;C22C13/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇;宋晓宝 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热电 材料 以及 模块 | ||
1.一种热电材料，其中，所述热电材料具有：
母相，以MgSiSn合金为主要成分；
空孔，形成于所述母相中；以及
硅层，至少形成于所述空孔的壁面且以硅为主要成分。
2.根据权利要求1所述的热电材料，其中，
所述热电材料还具有相对于所述热电材料的重量为1.0wt％以上且20.0wt％以下的MgO。
3.根据权利要求1所述的热电材料，其中，
所述硅层由非晶Si形成或者由非晶和微晶的混合Si形成。
4.根据权利要求1所述的热电材料，其中，
所述母相具有所述MgSiSn合金的化学组成互不相同的第一区域和第二区域，
所述第一区域的Sn的组成比率高于所述第二区域的Sn的组成比率，
所述第二区域的Si的组成比率高于所述第一区域的Si的组成比率。
5.根据权利要求4所述的热电材料，其中，
所述第一区域与所述第二区域邻接。
6.根据权利要求4所述的热电材料，其中，
在所述第一区域与所述第二区域的边界，混合存在有粒径比所述第一区域的中心的粒子小的粒子和粒径比所述第二区域的中心的粒子小的粒子。
7.根据权利要求1所述的热电材料，其中，
所述空孔率相对于所述热电材料为5％以上且50％以下。
8.根据权利要求1所述的热电材料，其中，
将所述MgSiSn合金的Sn的一部分置换为Ge。
9.一种热电模块，所述热电模块具有：n型热电材料成型体，掺杂有Al、P、As、Sb或Bi；以及p型热电材料成型体，掺杂有Ag、Li、Na、Cu或Au，其中，
所述n型热电材料成型体和所述p型热电材料成型体具有：
母相，以MgSiSn合金为主要成分；
空孔，形成于所述母相中；以及
硅层，至少附着于所述空孔的壁面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社白山;国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;石川县，未经株式会社白山;国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;石川县许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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