[发明专利]将绝缘材料沉积到导电孔中的方法

权利要求书

1.一种在基板(20)的导电孔(1)中形成绝缘材料层(4、5、6)的方法，所述方法包括：

-根据第一脉冲序列，通过第一喷射路径(40)将包含这种绝缘材料的前体(P)的第一化学物质气相喷射到化学气相沉积反应器的沉积室(30)中；

-根据相对于所述第一脉冲序列有相位移的第二脉冲序列，通过与所述第一喷射路径不同的第二喷射路径(50)将包含适于与这种前体(P)反应的反应物(R)的第二化学物质气相喷射到所述沉积室(30)中；

-在所述第一脉冲序列和第二脉冲序列中的至少一者的至少一次脉冲期间，依序产生所述第一化学物质和/或所述第二化学物质的等离子体，其中这样的等离子体是由高频(HF)等离子体源和低频(LF)等离子体源产生的，其中所述高频(HF)等离子体源和低频(LF)等离子体源被施加到所述第一喷射路径（ 40 ） 和第二喷射路径(50)，所述低频(LF)等离子体源功率与所述高频(HF)等离子体源功率比大于1，

其中所述导电孔(1)由两个相对的壁和底部限定。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积室中的压力在500毫托至10托的范围内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积室中的压力在500毫托至2托的范围内。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述前体流量在20mgm至100mgm的范围内。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所喷射的化学物质的总流量低于1,000sccm(标准立方厘米/分钟)。

6.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中在所述第一化学物质和/或所述第二化学物质的喷射期间，在所述沉积室(30)中以脉冲法产生等离子体。

7.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中满足以下条件中的至少一者：

-所述第一脉冲序列和/或所述第二脉冲序列的一次脉冲的持续时间在0.02s至5s的范围内；

-所述第一脉冲序列和/或所述第二脉冲序列之间的时间间隔在0.02s至10s的范围内。

8.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中在所述第一脉冲序列和第二脉冲序列中的至少一者的一次脉冲的整个持续时间内产生所述等离子体。

9.根据权利要求6所述的方法，其中每次等离子体脉冲的持续时间小于1秒。

10.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述前体包括以下化合物中的至少一种：原硅酸四乙酯(TEOS)、双(叔丁基氨基)硅烷(BTBAS)、双(二丁氨基)硅烷(BDBAS)、四(二乙酰胺基)钛(TDEAT)、叔丁基酰亚胺基三(二乙氨基)钽(TBTDET)、三甲基铝(TMA)、二乙基锌(DEZ)。

11.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述反应物包括以下化合物中的至少一种：蒸汽(H₂O)、一氧化二氮(N₂O)、气态氧(O₂)、氨气(NH₃)、甲烷(CH₄)。

12.根据权利要求1至3中的任一项所述的方法，其中所述高频(HF)等离子体源呈现在12和15MHz之间的频率，并且所述低频(LF)等离子体源呈现在100和600kHz之间的频率。

13.根据前述权利要求中的任一项所述的方法用于在基板(20)的导电孔(1)中形成绝缘材料层(4、5、6)的应用，所述导电孔(1)由两个相对的壁和底部限定，在所述导电孔(1)的所述壁上沉积的层的厚度大于在所述导电孔(1)的所述底部上沉积的层的厚度。