[发明专利]使用法拉第笼的等离子体刻蚀方法有效
申请号: | 201880054020.3 | 申请日: | 2018-10-19 |
公开(公告)号: | CN111052319B | 公开(公告)日: | 2023-09-19 |
发明(设计)人: | 许殷奎;金忠完;章盛晧;辛富建;朴正岵;尹晶焕;秋素英 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/3213;H01J37/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 梁笑;吴娟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 法拉第 等离子体 刻蚀 方法 | ||
本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括:将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤;将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤,所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模,所述金属掩模中具有开口;以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中,法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。
技术领域
本说明书要求于2017年10月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0136547号的优先权和权益,其全部内容通过引用并入本文。
本说明书涉及使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。
背景技术
为了在显示器上向使用者显示期望的图像,可以使用用于改变可见光的状态的导光板。导光板可以通过反射、折射或衍射与入射的可见光相互作用,并且可以通过控制这种相互作用而允许使用者看到期望的图像。入射在导光板上的光可以与设置在导光板上的结构相互作用,并且可以发生衍射。这是由光的波动性引起的,并且可以通过光波的干涉来表达。当入射在导光板上的光遇到周期性结构时,光由于光的衍射而分成不同方向的光束,从而被使用者看到。
为了在显示器上向使用者显示期望的图像,可以使用用于改变可见光的状态的导光板。导光板可以通过反射、折射或衍射与入射的可见光相互作用,并且可以通过控制这种相互作用而允许使用者看到期望的图像。入射在导光板上的光可以与设置在导光板上的结构相互作用,并且可以发生衍射。这是由光的波动性引起的,并且可以通过光波的干涉来表达。当入射到导光板中的光遇到周期性结构时,光由于光的衍射而分成不同方向的光束,从而被使用者看到。
为了通过显示器不失真地向使用者显示期望的图像,需要研究用于形成导光板的微观结构使得入射在导光板上的光以恒定的强度输出在显示器上的方法。
[现有技术文件]
[专利文件]
韩国专利登记号KR 10-1131101 B1
发明内容
技术问题
本发明致力于提供使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。
然而,本发明要解决的目的不限于上述目的,并且根据以下描述,上述未提及的其他目的对于本领域普通技术人员将是明显的。
技术方案
本发明的一个实施方案提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法,其包括:将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中;将石英基板设置在法拉第笼中,所述石英基板在其一个表面上具有带有开口的金属掩模;以及通过用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻来进行图案化,其中法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。
有益效果
通过根据本发明的一个实施方案的蚀刻方法,可以使在通过等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻期间在蚀刻部分的底表面上产生的针状结构的形成最小化。具体地,通过根据本发明的一个实施方案的蚀刻方法,形成在蚀刻部分的底表面上的针状结构的形成可以通过用于近似地选择法拉第笼的底表面的金属材料和金属掩模的金属材料的简单方法而得到有效控制。
通过根据本发明的一个实施方案的蚀刻方法,存在可以通过一个蚀刻过程在基板上同时形成不同的倾斜图案部分的优点。
根据本发明的一个实施方案的蚀刻方法的优点在于,可以通过简单的过程制造具有优异精度的用于衍射光栅导光板的模具基板。
根据本发明的一个实施方案的蚀刻方法的优点在于,可以在石英基板上形成具有均匀斜度的倾斜图案,并且可以控制该倾斜图案以具有深度梯度。
附图说明
图1是示意性地示出根据本发明的一个实施方案的蚀刻方法的图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社LG化学,未经株式会社LG化学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880054020.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造