[发明专利]与高选择性氧化物移除及高温污染物移除整合的外延系统在审

专利信息
申请号: 201880054151.1 申请日: 2018-08-13
公开(公告)号: CN111033713A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: 劳拉·哈夫雷查克;劳建邦;埃罗尔·C·桑切斯;舒伯特·S·楚;图沙尔·曼德雷卡尔 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H05H1/46;H01L21/677;H01L21/683
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 选择性 氧化物 高温 污染物 整合 外延 系统
【权利要求书】:

1.一种处理系统,包含:

转移腔室,耦接到至少一个气相外延腔室;

氧化物移除腔室,.

耦接至所述转移腔室,所述氧化物移除腔室包含:

盖组件,具有混合腔室与气体分配器;

第一气体入口,穿过所述盖组件的一部分形成,并与所述混合腔室流体连通;

第二气体入口,穿过所述盖组件的一部分形成,并与所述混合腔室流体连通;

第三气体入口,穿过所述盖组件的一部分形成,并与所述混合腔室流体连通;以及

基板支撑件,具有:

基板支撑表面;

冷却通道;以及

升降构件,设置于所述基板支撑表面的凹部中,并通过所述基板支撑件耦接到升降致动器;

等离子体污染物移除腔室,耦接至所述转移腔室,所述等离子体污染物移除腔室包含:

远程等离子体源;以及

基板支撑件,可操作以将设置在所述基板支撑件上的基板加热至25℃与650℃之间的温度。

2.如权利要求1所述的处理系统,其中所述氧化物移除腔室包含等离子体产生源。

3.如权利要求2所述的处理系统,其中所述等离子体产生源包含所述远程等离子体源,所述远程等离子体源经配置以通过使用RF源或微波源在所述远程等离子体源中形成等离子体。

4.如权利要求2所述的处理系统,其中所述远程等离子体源耦接至所述腔室的盖。

5.如权利要求1所述的处理系统,其中所述膜形成腔室为外延腔室。

6.如权利要求1所述的处理系统,其中所述氧化物移除腔室包括远程等离子体腔室以及具有冷却通道的基板支撑件。

7.如权利要求1所述的处理系统,其中所述氧化物移除腔室为氟处理腔室,所述等离子体污染物移除腔室为氢处理腔室,并且所述膜形成腔室为外延腔室。

8.如权利要求7所述的处理系统,其中所述氧化物移除腔室包括具有冷却通道的基板支撑件,并且所述等离子体污染物移除腔室包括基板支撑件,所述基板支撑件可操作以将设置在所述基板支撑件上的基板加热至大于300℃的温度。

9.如权利要求8所述的处理系统,所述处理系统进一步包含退火腔室。

10.一种处理系统,包含:

第一转移腔室,耦接到至少一个膜形成腔室;

第二转移腔室;

等离子体氧化物移除腔室,耦接至所述第一或第二转移腔室;

等离子体污染物移除腔室,耦接至所述第一或第二转移腔室;以及

装载锁定腔室,耦接至所述第二转移腔室。

11.如权利要求10所述的处理系统,所述处理系统进一步包含氧化物移除腔室。

12.如权利要求10所述的处理系统,其中所述等离子体氧化物移除腔室包括等离子体产生源。

13.如权利要求12所述的处理系统,其中所述等离子体产生源包括远程等离子体源,所述远程等离子体源经配置通过使用RF源或微波源在所述远程等离子体源中形成等离子体。

14.如权利要求13所述的处理系统,其中所述远程等离子体源耦接至所述腔室的盖。

15.如权利要求10所述的处理系统,其中所述至少一个膜形成腔室是外延腔室。

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