[发明专利]用于外延沉积工艺的注入组件

说明书

在一个实施方式中，一种气体引入插件包括：气体分配组件，具有主体；复数个气体注入通道，形成于气体分配组件内，复数个气体注入通道的至少一部分邻接于在气体分配组件中形成的盲通道；和整流板，定界复数个气体注入通道和盲通道的一侧，整流板包括未穿孔部分，未穿孔部分对应于盲通道的位置。

背景

领域

本公开内容的实施方式大致涉及提供前驱物气体以执行半导体装置制造工艺。更具体而言，本公开内容的实施方式大致涉及提供在半导体基板上执行的沉积和蚀刻反应(诸如外延沉积工艺或其他化学气相沉积工艺)中使用的前驱物气体。

背景技术的描述

由于先进的逻辑与DRAM装置和半导体功率装置连同其他半导体装置的新应用，含硅和/或锗的膜在基板上的外延生长变得越来越重要。这些应用中的一些应用的关键要求是所生长或沉积的层的膜厚度跨基板表面的均匀性。通常，膜厚度均匀性与跨基板的气体流率的均匀性有关。

然而，在某些常规腔室中沉积或运载气体流量(即，速度)并不均匀，这可导致所生长或沉积的层的厚度跨基板表面的不均匀性。在某些情况中，当不均匀性超过某个限制时，可能导致基板无法使用。

因此，本领域中需要在外延生长或沉积工艺期间最小化前驱物气体流量或速度的差异的设备和方法。

发明内容

本文所述的实施方式涉及用于将工艺气体输送到腔室内的处理区域的设备和方法，以形成跨基板的暴露表面的具有大体上相等厚度的膜层。

在一个实施方式中，一种气体引入插件(insert)，包括气体分配组件，具有主体；复数个气体注入通道，形成于气体分配组件内，复数个气体注入通道的至少一部分邻接于在气体分配组件中形成的盲通道；和整流板，定界复数个气体注入通道和盲通道的一侧，整流板包括未穿孔部分，未穿孔部分在对应于气体分配组件中盲通道的位置的位置处。

在另一实施方式中，提供一种用于反应腔室的气体引入插件，气体引入插件包括注入块，具有至少一个入口以将前驱物气体从至少两个气源输送至复数个气室；气体分配组件，耦合至注入块；整流板，定界复数个气室的一侧，整流板在整流板的相对的端上包括未穿孔部分；和复数个气体注入通道，形成于气体分配组件的主体内，复数个气体注入通道的至少一部分邻接于在主体中形成的盲通道，盲通道对应于整流板的未穿孔部分的位置。

在另一实施方式中，提供一种将前驱物气体输送至腔室中的处理区域的方法。方法包含以下步骤：提供前驱物气体至整流板，整流板具有未穿孔区域和与复数个气体注入通道流体连通的穿孔区域，气体注入通道限定气体注入部分，复数个气体注入通道的至少一部分定位成邻接于盲通道；和使前驱物气体流动朝向未穿孔区域，并且通过整流板的穿孔区域中的开口而到复数个气体注入通道中，其中整流板的长度大于气体注入部分的长度，并且其中气体注入部分的长度大体上等于基板的直径。

附图简要说明

以可详细理解本公开内容以上叙述的特征的方式，可通过参考实施方式获得以上简要概述的本公开内容的更具体说明，实施方式中的一些图示于附图中。然而，应注意，附图仅图示本公开内容的典型实施方式，并且因此不应视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其他同等有效的实施方式。

图1是图示外延生长设备的一个实施方式的横截面图。

图2是图示图1的外延生长设备的反应腔室的分解等轴视图。

图3是图示图1的外延生长设备的反应腔室的分解等轴视图。

图4是以横截面表示的外延生长设备的一部分的示意性俯视图。

图5是耦合至反应腔室的处理容积的气体分配组件的等轴视图。