[发明专利]使用导线接合的混合式添加结构的可堆叠存储器裸片在审

专利信息
申请号: 201880054692.4 申请日: 2018-07-17
公开(公告)号: CN111033732A 公开(公告)日: 2020-04-17
发明(设计)人: A·帕查穆图;C·H·育;J·F·克丁 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L23/00;H01L23/31;H01L23/485
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 导线 接合 混合式 添加 结构 堆叠 存储器
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其包括:

重布结构,其具有电介质材料、具有第一导电接点的第一表面、具有第二导电接点的第二表面及通过所述电介质材料将所述第一导电接点的个别者电耦合到所述第二导电接点的对应者的导线,且其中所述重布结构不包含预成形衬底;

半导体裸片,其耦合到所述重布结构的所述第一表面且包含接合垫;

导线接合,其将所述接合垫电耦合到所述第一导电接点的对应者;及

模制材料,其覆盖所述重布结构的至少部分及所述半导体裸片。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述半导体裸片是第一半导体裸片,其中所述接合垫是第一接合垫,且所述半导体装置进一步包括堆叠于所述第一半导体裸片上方且包含第二接合垫的第二半导体裸片。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述导线接合是第一导线接合,且所述半导体装置进一步包括将所述第二接合垫电耦合到所述重布结构的所述第一导电接点的对应者的第二导线接合。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其进一步包括所述第一半导体裸片与所述重布结构的所述第一表面之间的第一裸片附着材料及所述第二半导体裸片与所述第一半导体裸片之间的第二裸片附着材料。

5.根据权利要求2所述的半导体装置,其中所述第一接合垫面向所述第二接合垫,且其中所述第二接合垫电耦合到所述重布结构。

6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述半导体裸片是第一半导体裸片,且所述半导体装置进一步包括第二半导体裸片,其中:

所述第一半导体裸片堆叠于所述第二半导体裸片上方,且

所述第二半导体裸片耦合到所述重布结构且电耦合到所述第一导电接点的至少一者。

7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述第二半导体裸片包含经由焊料连接电耦合到所述第一导电接点的对应者的接合垫。

8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述重布结构进一步包含所述第二半导体裸片下方的裸片附着区域,且其中所述第二半导体裸片仅电耦合到所述裸片附着区域内的第一接点。

9.根据权利要求6所述的半导体装置,其中所述重布结构进一步包含所述第二半导体裸片下方的裸片附着区域,且其中所述接合垫通过所述多个导线接合电耦合到所述裸片附着区域外的第一接点。

10.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述半导体裸片是存储器裸片。

11.根据权利要求1所述的半导体装置,其中:

所述模制材料位于所述重布结构的所述第一表面上方且囊封所述半导体裸片及所述多个导线接合;且

所述装置进一步包括所述半导体裸片与所述重布结构的所述第一表面之间的裸片附着材料。

12.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第二接点的至少一者比与所述第二接点电耦合的对应第一接点更与所述半导体裸片横向间隔。

13.根据权利要求1所述的半导体装置,其中所述第一表面与所述第二表面之间的所述重布结构的厚度小于约50μm。

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