[发明专利]具有横向偏移堆叠的半导体裸片的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

封装衬底；

第一半导体裸片，其耦合到所述封装衬底且具有背向所述封装衬底的上表面，所述上表面包含第一接合垫；

导线接合，其将所述第一半导体裸片的所述第一接合垫电耦合到所述封装衬底；

第二半导体裸片，其耦合到所述第一半导体裸片的所述上表面且具有面向所述封装衬底的下表面，其中所述第二半导体裸片横向延伸超过所述第一半导体裸片的至少一个侧以界定所述第二半导体裸片的外伸部分，且其中所述下表面包含所述外伸部分处的第二接合垫；及

导电构件，其将所述第二半导体裸片的所述第二接合垫电耦合到所述封装衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：

模制材料，其位于所述封装衬底上方且至少部分围绕所述第一半导体裸片、所述导线接合、所述第二半导体裸片及/或所述导电构件，其中所述第二半导体裸片包含与所述下表面相对的上表面，且其中所述模制材料不远离所述封装衬底延伸超过与所述第二半导体裸片的所述上表面共面的平面。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述模制材料囊封所述第一半导体裸片、所述导线接合及所述导电构件。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电构件是延伸在所述第二接合垫与所述封装衬底之间的导电支柱。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述封装衬底是具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的再分布结构，其中所述第一表面包含第一导电接点及第二导电接点，其中所述第二表面包含第三导电接点，其中所述第一导电接点及所述第二导电接点通过延伸穿过绝缘材料及/或在其上延伸的导线来电耦合到所述第三导电接点中的对应者，且其中所述再分布结构不包含预成形衬底。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述导线接合将所述第一半导体裸片的所述第一接合垫电耦合到所述再分布结构的所述第一导电接点中的对应者，且其中所述导电构件是形成在所述第二导电接点上且将所述第二半导体裸片的所述第二接合垫电耦合到所述第二导电接点中的对应者的铜柱。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体裸片的所述上表面上方的所述导线接合的最大高度小于或等于所述第一半导体裸片的所述上表面上方的所述第二半导体裸片的高度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体裸片的所述上表面包含第一部分及第二部分，其中所述第二半导体仅位于所述第二部分处的所述第一半导体裸片上方，且其中所述第一接合垫定位在所述第一部分处。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体裸片包含相对第一侧及相对第二侧，且其中所述第二半导体裸片仅横向延伸超过所述第一侧中的一者或所述第二侧中的一者。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体裸片包含相对第一侧及相对第二侧，且其中所述第二半导体裸片横向延伸超过所述第一侧中的一者及所述第二侧中的一者。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一半导体裸片及所述第二半导体裸片具有相同形状及尺寸。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：

第一裸片附接材料，其介于所述第一半导体裸片与所述封装衬底之间；及

第二裸片附接材料，其介于所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间。