[发明专利]微型LED元件、图像显示元件以及制造方法有效
申请号: | 201880055065.2 | 申请日: | 2018-03-06 |
公开(公告)号: | CN111052412B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 井口胜次 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L33/10 | 分类号: | H01L33/10;H01L33/48 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 led 元件 图像 显示 以及 制造 方法 | ||
1.一种微型LED元件,包含从光出射面侧观看而依序叠置有N型层、发光层和P型层的氮化物半导体层以及形成于所述P型层侧的P侧电极层,其特征在于,
所述N型层,包括与所述发光层相接的第一区域以及包含所述光出射面的第二区域,
所述氮化物半导体层中的至少包围所述第一区域的侧方的第一界面与所述发光层所形成的角度是规定的第一角度,所述规定的第一角度使沿着所述发光层的方向传播的光朝向所述光出射面的方向反射,
所述氮化物半导体层中的包围所述第二区域的侧方的第二界面与所述发光层所形成的角度,为大于所述第一角度的规定的第二角度,
所述第一界面被透明的隐埋层包围,所述第二界面不被所述隐埋层覆盖,在从所述光出射面侧观看时,所述隐埋层的另一侧面成为在整个周向上与所述第二界面连续连接的平面,
在从所述P侧电极层侧俯视时,所述P侧电极层形成为覆盖所述发光层的整个区域。
2.如权利要求1所述的微型LED元件,其特征在于,所述氮化物半导体层进一步具有连接所述第一界面与所述第二界面的第三界面,
N侧电极层在所述第三界面中与所述N型层的所述第二区域接触。
3.如权利要求1所述的微型LED元件,其特征在于,所述第一角度为35度以上55度以下的范围所包含的角度。
4.如权利要求1所述的微型LED元件,其特征在于,所述第一区域的厚度比所述P型层的厚度厚。
5.如权利要求1所述的微型LED元件,其特征在于,所述第一界面,除了包围所述第一区域的侧方之外,还包围所述发光层的侧方及所述P型层的侧方。
6.如权利要求1所述的微型LED元件,其特征在于,N侧电极层层叠于所述光出射面之上。
7.一种微型LED元件,包含从光出射面侧观看而依序叠置有N型层、发光层和P型层的氮化物半导体层以及形成于所述P型层侧的P侧电极层,其特征在于,
所述N型层,包括与所述发光层相接的第一区域以及包含所述光出射面的第二区域,
所述氮化物半导体层中的至少包围所述第一区域的侧方的第一界面与所述发光层所形成的角度是规定的第一角度,所述规定的第一角度使沿着所述发光层的方向传播的光朝向所述光出射面的方向反射,
所述氮化物半导体层中的包围所述第二区域的侧方的第二界面与所述发光层所形成的角度,为大于所述第一角度的规定的第二角度,
在从所述P侧电极层侧俯视时,所述P侧电极层形成为覆盖所述发光层的整个区域。
8.如权利要求7所述的微型LED元件,其特征在于,所述P侧电极层的与所述P型层相反侧的表面是平坦的。
9.如权利要求8所述的微型LED元件,其特征在于,在所述第一区域的外侧、与所述P侧电极层之间,形成有包围所述第一界面的隐埋层;
所述P侧电极层与所述隐埋层的界面,与所述发光层平行。
10.如权利要求7所述的微型LED元件,其特征在于,所述第一界面的整个周向被相对于可见光为透明,且,折射率小于所述氮化物半导体层的折射率小的保护膜覆盖,进一步地,所述保护膜的外侧遍及整个周向,覆盖有所述P侧电极层。
11.如权利要求7所述的微型LED元件,其特征在于,所述第一角度为以45度为中心的规定的范围所包含的角度。
12.如权利要求7所述的微型LED元件,其特征在于,所述第一角度为35度以上55度以下的范围所包含的角度。
13.如权利要求7所述的微型LED元件,其特征在于,所述第一区域的厚度比所述P型层的厚度厚。
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