[发明专利]透明导电体和有机器件

权利要求书

1.一种透明导电体，其特征在于，

依次具备：

透明基材；第一金属氧化物层；包含银合金的金属层；以及第二金属氧化物层，

所述第一金属氧化物层由与ITO不同的金属氧化物构成，

所述第二金属氧化物层含有ITO，

所述第二金属氧化物层的与所述金属层侧为相反侧的表面的功函数为4.5eV以上。

2.根据权利要求1所述的透明导电体，其特征在于，

在所述金属层和所述第二金属氧化物层之间具备第三金属氧化物层，

所述第三金属氧化物层由与ITO不同的金属氧化物构成，并且含有氧化锌、氧化铟、氧化钛和氧化锡。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电体，其特征在于，

所述第一金属氧化物层含有氧化锌、氧化铟和氧化钛。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的透明导电体，其特征在于，

所述第二金属氧化物层的载流子密度为3.5×10²⁰cm^-3以下。

5.一种透明导电体，其特征在于，

依次具备：

透明基材；第一金属氧化物层；包含银合金的金属层；以及第二金属氧化物层，

所述第二金属氧化物层含有ITO，

在所述第二金属氧化物层的表面的X射线光电子能谱中，0.5～2.3eV的结合能区域的峰面积B相对于14～21eV的结合能区域的峰面积A的比率B/A为1.0×10^-3以下。

6.根据权利要求5所述的透明导电体，其特征在于，

在所述金属层与所述第二金属氧化物层之间具备第三金属氧化物层。

7.根据权利要求6所述的透明导电体，其特征在于，

所述第一金属氧化物层和所述第三金属氧化物层分别由与ITO不同的金属氧化物构成，

所述第一金属氧化物层含有氧化锌、氧化铟和氧化钛，

所述第三金属氧化物层含有氧化锌、氧化铟、氧化钛和氧化锡。

8.根据权利要求5～7中任一项所述的透明导电体，其特征在于，

所述第二金属氧化物层的所述表面的功函数为4.5eV以上。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的透明导电体，其特征在于，

所述第二金属氧化物层的厚度为2nm以上。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的透明导电体，其特征在于，

所述第二金属氧化物层侧的表面电阻值为30Ω/sq.以下。

11.一种有机器件，其特征在于，

具备权利要求1～10中任一项所述的透明导电体。