[发明专利]考虑射束功率输入的晶片温度控制

权利要求书

1.一种离子注入系统，其包括：

离子源，其配置成形成离子束；

束线总成，其配置成对离子束进行质谱分析；

用于接收离子束的终端站，其中，所述终端站包括受热夹盘，所述受热夹盘配置成在将离子从离子束注入到工件期间选择性固定并选择性加热工件；以及

控制器，其配置成在将离子注入到工件期间维持工件的期望温度，其中，所述控制器配置成至少部分地基于所述离子注入系统的预定表征以及注入期间从离子束施加到工件的热能，通过控制所述受热夹盘来选择性加热工件。

2.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述受热夹盘包括嵌入其中的一个或多个加热器，其中，所述控制器配置成控制所述一个或多个加热器的温度。

3.根据权利要求2所述的离子注入系统，其中，所述一个或多个加热器包括设置于跨所述受热夹盘的相应多个区域内的多个加热器。

4.根据权利要求3所述的离子注入系统，其中，所述多个区域包括与所述受热夹盘的中心相关联的内部区域以及与所述受热夹盘的外周相关联的外部区域，其中，所述控制器配置成至少部分地基于离子束相对于所述内部区域和所述外部区域的位置来单独地控制所述多个加热器。

5.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述离子注入系统的表征包括在将离子注入到装备工件期间映射跨所述装备工件的温度。

6.根据权利要求5所述的离子注入系统，其中，所述装备工件包括跨所述装备工件的表面布置的多个热电偶。

7.根据权利要求1所述的离子注入系统，进一步包括背气源和冷却剂源中的一个或多个源，所述背气源配置成向工件与所述受热夹盘之间的界面提供背气，所述冷却济源配置成通过穿过所述受热夹盘的一个或多个通道提供冷却剂流体，其中，所述控制器进一步配置成至少部分地基于所述离子注入系统的表征来控制所述背气源和所述冷却剂源中的一个或多个源。

8.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述离子束包括点状离子束和带状离子束中的一个或多个离子束。

9.根据权利要求1所述的离子注入系统，其中，所述控制器配置成将离子注入到工件期间工件的期望温度维持在工件温度的期望精度之内。

10.根据权利要求9所述的离子注入系统，其中，所述期望温度在约20℃至约1500℃之间，并且所述期望精度在+/-5℃之内。

11.一种在离子注入系统中将离子注入到工件的方法，所述方法包括：

使用一组预定的参数集表征离子注入系统；

在第一温度下设置受热夹盘；

在所述受热夹盘上将工件加热到所述第一温度；

在加热工件的同时将离子注入到工件中，其中，将离子注入到工件将热能施加到工件中；以及

通过在所述受热夹盘上将工件选择性加热到第二温度，在将离子注入到工件期间维持工件的期望温度，其中，至少部分地基于所述离子注入系统的表征，将所述期望温度维持在期望精度内，其中，通过在第二温度下选择性在所述受热夹盘上加热工件，减少将离子注入到工件相关联的热能。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二温度低于所述第一温度。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一温度在约20℃至约1500℃之间，并且所述期望精度在+/-5℃之内。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，表征离子注入系统包括：使用一组预定的参数集，在将离子注入到装备工件期间，映射跨所述装备工件的温度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述装备工件包括跨所述装备工件的表面布置的多个热电偶。