[发明专利]含有TiAlN纳米层膜的耐磨PVD工具涂层有效
申请号: | 201880055741.6 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN111032915B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 法伊特·席尔;沃尔夫冈·恩格哈特 | 申请(专利权)人: | 瓦尔特公开股份有限公司 |
主分类号: | C23C28/04 | 分类号: | C23C28/04;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/32;C23C30/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈海涛;王海川 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 tialn 纳米 耐磨 pvd 工具 涂层 | ||
1.一种由基材和硬质材料涂层构成的涂层切削工具,所述基材选自硬质合金、金属陶瓷、陶瓷、立方氮化硼(cBN)、多晶金刚石(PCD)或高速钢(HSS),其中所述硬质材料涂层包含
交替堆叠的(Ti,Al)N子层的(Ti,Al)N层堆叠体(L),所述层堆叠体(L)具有如下特征:
-在所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)内Ti:Al的总原子比在0.33:0.67至0.67:0.33的范围内;
-所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的总厚度在1μm至20μm的范围内;
-在所述交替堆叠的(Ti,Al)N子层的(Ti,Al)N层堆叠体(L)内每个单独的(Ti,Al)N子层具有在0.5nm至50nm范围内的厚度;
-在所述交替堆叠的(Ti,Al)N子层的(Ti,Al)N层堆叠体(L)内每个单独的(Ti,Al)N子层在原子比Ti:Al方面与直接相邻的(Ti,Al)N子层不同;
-在垂直于所述基材表面的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的厚度上,从排列为朝向所述基材的方向的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的界面到排列为朝向所述涂层外表面的方向的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的界面,Al的含量增加并且Ti的含量降低;
-在垂直于所述基材表面的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的厚度上,从排列为朝向所述基材的方向的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的界面到排列为朝向所述涂层外表面的方向的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的界面,残余应力σ下降至少150MPa至最多900MPa的量,由此应用基于(2 00)反射的sin2Ψ方法通过X射线衍射来测量所述残余应力σ;
-在所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)内从排列为朝向所述基材的方向的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的界面起至少100nm至最多1μm厚度的部分内的所述残余应力σ在0MPa至+450MPa的范围内。
2.根据权利要求1所述的涂层切削工具,其中所述涂层的(Ti,Al)N层堆叠体(L)的交替堆叠的TiAlN子层通过Arc-PVD沉积。
3.根据权利要求1所述的涂层切削工具,其中在所述交替堆叠的(Ti,Al)N子层的(Ti,Al)N层堆叠体(L)中的每个单独的(Ti,Al)N子层的原子比Ti:Al与直接相邻的(Ti,Al)N子层的原子比Ti:Al之差在0.2至1.8的范围内。
4.根据权利要求1所述的涂层切削工具,其中具有比直接相邻的(Ti,Al)N子层更低的Ti含量的单独的(Ti,Al)N子层的原子比Ti:Al在0.2:0.8至0.7:0.3的范围内,和/或具有比直接相邻的(Ti,Al)N子层更高的Ti含量的单独的(Ti,Al)N子层的原子比Ti:Al在0.3:0.7至0.8:0.2的范围内。
5.根据权利要求1所述的涂层切削工具,其中在垂直于所述基材表面的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的厚度上所述Al含量的增加和所述Ti含量的减少逐步或逐渐地发生。
6.根据权利要求1所述的涂层切削工具,其中在垂直于所述基材表面的所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)的厚度上,所述Al含量的增加和所述Ti含量的减少是通过具有更高Al含量的单独的(Ti,Al)N子层的厚度相对于具有更低Al含量的单独的(Ti,Al)N子层的厚度的增加来实现的。
7.根据权利要求1所述的涂层切削工具,其中所述(Ti,Al)N层堆叠体(L)包含直接排列在彼此之上的两个以上的(Ti,Al)N子层堆叠体(L1、L2、…Lx),其中在同一(Ti,Al)N子层堆叠体(L1、L2、…Lx)内,存在第一类型的单独的(Ti,Al)N子层和第二类型的单独的(Ti,Al)N子层,所述第一类型的单独的(Ti,Al)N子层各自具有相同的相对于Ti:Al原子比的组成和相同的厚度,并且所述第二类型的单独的(Ti,Al)N子层各自具有相同的相对于Ti:Al原子比的组成和相同的厚度,其中所述第一类型和第二类型的单独的(Ti,Al)N子层具有不同的Ti:Al原子比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦尔特公开股份有限公司,未经瓦尔特公开股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880055741.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于上行链路低等待时间通信的确收方法和设备
- 下一篇:核氢化反应用催化剂
- 同类专利
- 专利分类