[发明专利]制造多个飞行时间传感器器件的方法有效
申请号: | 201880055865.4 | 申请日: | 2018-10-10 |
公开(公告)号: | CN111052406B | 公开(公告)日: | 2022-11-04 |
发明(设计)人: | 哈拉尔德·埃齐梅尔;托马斯·博德纳 | 申请(专利权)人: | AMS有限公司 |
主分类号: | H01L31/173 | 分类号: | H01L31/173;G01S7/481 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 侯丽英;刘继富 |
地址: | 奥地利普*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 飞行 时间 传感器 器件 方法 | ||
1.一种用于制造多个飞行时间传感器器件的方法,包括:
-提供晶片(100),所述晶片包括用于飞行时间传感器器件(1)中相应的一个的多个晶片部分(110),其中所述晶片部分(110)中的每个包括第一光检测区域(10)和第二光检测区域(20),其中,至少第二光检测区域(20)布置在相应的晶片部分(110)的表面(111)中,
-在晶片部分(110)的每个上设置相应的光发射装置(30),其中,所述相应的光发射装置(30)和相应的第一光检测区域(10)布置为使得由所述相应的光发射装置(30)发射的光的部分被所述相应的第一光检测区域(10)检测到,
-由透光材料(130)的第一容积(40)封装所述相应的光发射装置(30)和所述相应的第一光检测区域(10),并且由所述透光材料(130)的第二容积(50)封装所述相应的第二光检测区域(20),其中所述透光材料的第一容积和第二容积彼此分开,
-将不透明材料(60)布置在所述透光材料(130)的所述相应的第一容积和第二容积(40、50)之间的空间(120)中的晶片部分(110)上,
-在所述晶片部分(110)的相邻晶片部分之间切割晶片(100),以将所述晶片分开成所述多个飞行时间传感器器件(1);
提供具有多对第一腔体和第二腔体(210、220)的压印模(200),其中每一对第一腔体和第二腔体(210、220)与所述飞行时间传感器器件(1)中的相应一个相关联,
-用所述透光材料(130)填充每一对第一腔体和第二腔体中的第一腔体和第二腔体(210、220),
-将所述压印模(200)布置在所述晶片(100)的每个晶片部分(110)的表面(111)上,使得每一对第一腔体和第二腔体(210、220)布置在所述晶片部分(110)中的相应一个上方,
-使每一对第一腔体和第二腔体中的第一腔体和第二腔体(210、220)中的透光材料(130)固化,以形成每个飞行时间传感器器件的所述透光材料(130)的所述相应的第一容积和第二容积(40、50);
其中,所述压印模(200)的每一对第一腔体和第二腔体中的所述相应的第一腔体(210)成形为使得所述透光材料(130)的所述第一容积(40)形成为具有凹面形,
-其中,所述压印模(200)的每一对第一腔体和第二腔体中的所述相应的第二腔体(220)成形为使得所述透光材料(130)的所述第二容积(50)形成为具有凸面形。
2.根据权利要求1所述的方法,包括:
-提供硅材料的晶片(100),
-提供所述晶片(100)的包括耦合到所述相应的第一光检测区域(10)的相应的第一集成电路(70)的晶片部分(110),以将所述相应的第一光检测区域的光学信号转换为第一电信号,
-提供所述晶片(100)的包括耦合到所述相应的第二光检测区域(20)的相应的第二集成电路(80)的晶片部分(110),以将所述相应的第二光检测区域(20)的光学信号转换为第二电信号。
3.权利要求1或2所述的方法,
其中,每个晶片部分(110)的所述相应的光发射装置(30)和所述相应的第一光检测区域(10)在所述晶片(100)上彼此相邻或彼此重叠布置,使得由所述相应的光发射装置(30)发射的光的部分被所述相应的第一光检测区域(10)检测到。
4.根据权利要求1或2所述的方法,包括:
通过纳米压印光刻工艺在每个晶片部分(110)的表面(111)上提供所述透光材料(130)的所述相应的第一容积和第二容积(40、50)。
5.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述压印模(200)的每一对第一腔体和第二腔体(210、220)布置在所述晶片部分(110)中的相应一个上方,使得填充在所述压印模的相应一对第一腔体和第二腔体中的第一腔体(210)中的透光材料(130)布置在相应的第一光检测区域(10)和相应的光发射装置(30)上方,以形成所述透光材料(130)的第一容积(40),并且使得填充在所述压印模的相应一对第一腔体和第二腔体中的第二腔体(220)中的透光材料布置在相应的第二光检测区域(20)的上方,以形成所述透光材料(130)的第二容积(50)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的