[发明专利]自对准高深宽比结构及制作方法

说明书

描述了形成自对准高深宽比特征的处理方法。所述方法包括在结构化基板上沉积金属膜、容积地扩张所述金属膜、在所扩张的柱体之间沉积第二膜、与可选地使所述柱体凹陷以及重复此处理以形成高深宽比结构。

技术领域

本公开大体上关于形成高深宽比结构的方法。具体而言，本公开关于形成自对准高深宽比结构的方法。

背景技术

半导体产业迅速地发展具有越来越小晶体管尺寸的芯片以获得每单位面积更多的功能性。由于装置的尺寸持续缩减，装置间的间隙/空间也持续缩减，增加将装置与另一装置实体地隔离的困难度。

创造高深宽比(HAR)结构是装置图案化领域中的一种挑战。逻辑与存储器中的数种结构由高深宽比得益。为了持续装置缩放，需要克服现行处理流程的基本限制。

因此，本领域中需要用于形成高深宽比结构的新方法。

发明内容

本发明的一个或多个实施例关于形成超高深宽比结构的方法。此方法包含在结构化基板的特征中沉积金属膜。结构化基板包含从基板的表面延伸进入基板一深度的多个特征。金属膜容积地扩张以形成笔直延伸出特征的金属氧化物柱体。第二膜沉积在柱体之间，使得第二膜的顶部约等于柱体的顶部。移除柱体的一部分，使得柱体的顶部低于第二膜的顶部。重复以下步骤：沉积金属膜、容积地扩张金属膜、沉积第二膜以及可选地移除柱体的一部分，以生长预定高度的高深宽比特征。从特征移除柱体以形成高深宽比特征。

本发明的附加实施例关于形成超高深宽比结构的方法。此方法包含在结构化基板的特征中沉积金属膜与形成金属膜的盖层(overburden)。结构化基板包含从基板的表面延伸进入基板一深度的多个特征。金属膜包含钨。移除金属膜的盖层。金属膜容积地扩张以形成笔直地延伸出特征的金属氧化物柱体。金属氧化物柱体包含氧化钨。第二膜沉积在柱体之间并形成第二膜的盖层。移除第二膜的盖层，使得第二膜的顶部约等于柱体的顶部。可选地移除柱体的一部分，使得柱体的顶部低于第二膜的顶部。重复以下步骤：沉积金属膜、容积地扩张金属膜、沉积第二膜与可选地移除柱体的一部分，以生长预定高度的高深宽比特征。从特征移除柱体，以形成高深宽比特征。

本发明的进一步实施例关于形成超高深宽比结构的方法。此方法包含：(a)在结构化基板的特征中沉积钨膜，结构化基板包含从基板的表面延伸进入基板一深度的多个特征，钨膜形成钨盖层；(b)通过CMP移除钨盖层；(c)容积地扩张钨膜以形成笔直地延伸出特征的氧化钨柱体；(d)在氧化钨柱体之间沉积第二膜，使得形成第二膜盖层；(e)通过CMP移除第二膜盖层；(f)可选地移除氧化钨柱体的一部分，使得柱体的顶部低于第二膜的顶部以及重复(a)至(e)的步骤以生长预定高度的高深宽比特征；及(g)从特征移除所有柱体。

附图说明

通过参照实施例，某些实施例绘示在随附附图中，可获得简短总结于上的本发明更明确的说明，以此方式可详细地理解本发明的上述特征。然而，将注意到随附附图仅绘示本发明的典型实施例且因而不视为限制本发明的范围，由于本发明可允许其他相等有效的实施例。

图1A至1M显示根据本发明的一或多个实施例的用于形成高深宽比结构的方法的图解表示。

在随附附图中，类似的部件和/或特征会具有相同的附图标记。再者，相同类型的各种部件可通过跟随附图标记的用以区别类似部件的破折号与第二标记而加以区分。若在说明书中仅使用第一组件符号，此说明可应用于具有相同第一附图标记的类似部件的任一者，而无关于第二附图标记。

具体实施方式

在说明本发明的数个示例实施例之前，将理解到本发明并不局限于在接下来的说明书中所说明的结构或处理步骤的细节。本发明可以是其他实施例且可以各种方式实现或执行。