[发明专利]包括VCSEL阵列的激光器布置结构

权利要求书

1.一种激光器布置结构(100)，其包括至少一个VCSEL阵列，VCSEL阵列包括布置在共同的半导体基体(101)上的两个、三个、四个或更多个VCSEL(130)，其中，所述激光器布置结构(100)还包括至少一个光学结构(140)和扩散器结构(145)，其中，光学结构(140)被布置为能够减小通过每个VCSEL(130)发射到扩散器结构(145)的分配给相应的VCSEL(130)的区段(147)的激光(10)的发散角，其中，扩散器结构(145)被布置为能够将从光学结构(140)接收的激光变换成变换后激光(150)，从而能够在所限定的视场中的参考面中提供连续照明图案(20)，其中，扩散器结构(145)被布置为与在不具有扩散器结构(145)的情况下能提供的未变换的照明图案相比，能够增大照明图案(20)的尺寸，其中，VCSEL阵列、光学结构(140)和扩散器结构(145)被布置为使得扩散器结构(145)的分配给不同VCSEL的区段不重叠，其中，扩散器结构(145)包括扩散器子结构，其用于改变扩散器特性，扩散器特性的改变跨越扩散器结构(145)，以能够使照明图案(20)聚集在所限定的视场中，

其中，扩散器子结构与接收具有减小的发散角的激光的区段(147)对正，其中，扩散器子结构具有不同的表面结构，以基于VCSEL阵列中相应的VCSEL(130)的位置而不同地扩展从光学结构(140)接收的激光(10)。

2.根据权利要求1所述的激光器布置结构(100)，其中，光学结构(140)在晶片级结构上集成。

3.根据权利要求1或2所述的激光器布置结构(100)，其中，光学结构(140)包括用于通过使激光(10)准直来减小发散角的准直微透镜。

4.根据权利要求3所述的激光器布置结构(100)，其中，准直微透镜是啁啾微透镜。

5.根据权利要求1、2、4中的任一项所述的激光器布置结构(100)，其中，每个VCSEL(130)是被布置为能够在远离半导体基体(101)的方向上发射激光(10)的顶部发射器，其中，光学结构(140)包括设置在VCSEL阵列的层结构的顶部上的材料，其中，所述材料在激光(10)的波长范围内是透明的。

6.根据权利要求1、2、4中的任一项所述的激光器布置结构(100)，其中，每个VCSEL(130)是被布置为能够发射激光(10)穿过半导体基体(101)的底部发射器，其中，光学结构设置在半导体基体(101)的与VCSEL(130)相对布置的表面上。

7.根据权利要求6所述的激光器布置结构(100)，其中，准直的光学结构(140)集成在所述VCSEL阵列的结构中。

8.根据权利要求6所述的激光器布置结构(100)，其中，光学结构(140)包括设置在VCSEL阵列的层结构的顶部上的材料，其中，所述材料在激光(10)的波长范围内是透明的。

9.根据权利要求1、2、4、7、8中的任一项所述的激光器布置结构(100)，其中，VCSEL(130)的至少一部分被布置为能够被单独控制以发射激光(10)。

10.根据权利要求1、2、4、7、8中的任一项所述的激光器布置结构(100)，其中，扩散器结构(145)的区段(147)被布置为使得将每个VCSEL(130)布置成能够对照明图案(20)的区域(21)照明，其中，每个区域(21)至少与另一个区域(21)重叠。

11.根据权利要求1、2、4、7、8中的任一项所述的激光器布置结构，其中，光学结构(140)包括部分反射镜结构，其中，部分反射镜结构被布置为能够减小VCSEL的发散角。

12.一种发光装置，其包括至少一个根据前述权利要求中的任一项所述的激光器布置结构(100)阵列和用于向VCSEL(130)提供驱动电流的电驱动器(230)。