[发明专利]晶片载置台及其制法有效

专利信息
申请号: 201880056716.X 申请日: 2018-10-19
公开(公告)号: CN111095521B 公开(公告)日: 2023-03-28
发明(设计)人: 赤塚祐司;石川征树;曻和宏;服部亮誉;中村圭一 申请(专利权)人: 日本碍子株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金成哲;王莉莉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 载置台 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种晶片载置台,在具有晶片载置面的陶瓷基体的内部,从离上述晶片载置面较近的一侧以与上述晶片载置面平行的方式埋设第一电极和第二电极,并且具备将上述第一电极与上述第二电极电导通的导通部,

上述晶片载置台的特征在于,

上述导通部是在上述第一电极与上述第二电极之间重叠多片与上述晶片载置面平行的板状的金属网部件而成。

2.根据权利要求1所述的晶片载置台,其特征在于,

上述陶瓷基体的材料进入上述金属网部件的网眼空间。

3.根据权利要求1或2所述的晶片载置台,其特征在于,

上述第一电极以及上述第二电极用作静电电极、或者用作RF电极、又或者用作静电电极以及RF电极的双方。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的晶片载置台,其特征在于,

上述第一电极是圆板电极,上述第二电极是直径比上述第一电极的直径大且与上述第一电极成同心圆的圆板电极或者环状电极。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的晶片载置台,其特征在于,

在上述陶瓷基体的上述晶片载置面的外侧,具有比上述晶片载置面低的环状台阶面,

上述第一电极设置为与上述晶片载置面相对,

上述第二电极设置为与上述环状台阶面相对。

6.一种晶片载置台的制法,其特征在于,包括:

(a)从埋设有第一电极或者其前驱体的陶瓷加压成形体的一个面至第一电极或者其前驱体为止挖掘用于配置导通部的孔的工序;

(b)在上述孔内,以与上述第一电极或者其前驱体平行的方式重叠地放入多片板状的金属网部件,并使最上层的上述金属网部件到达上述孔的口的工序;

(c)在上述陶瓷加压成形体的上述一个面,以与上述第一电极平行并与最上层的上述金属网部件接触的方式设置第二电极或者其前驱体的工序;

(d)以覆盖上述第二电极或者其前驱体的方式在上述陶瓷加压成形体的上述一个面铺设陶瓷粉末并进行加压成形,由此获得层叠体的工序;以及

(e)将上述层叠体进行热压烧成的工序。

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