[发明专利]双晶片结合的气密性密封分子光谱单元

权利要求书

1.一种形成密封腔的方法，所述方法包括：

在第一衬底上形成第一氧化物层；

在与所述第一衬底相对的所述第一氧化物层的表面上形成第一金属层；

在与所述第一氧化物层相对的所述第一金属层的表面上形成第二氧化物层；

将非导电结构结合到与所述第一金属层相对的所述第二氧化物层的表面；

将天线图案化在所述非导电结构上；

在所述第一衬底中产生到第一氧化物层的腔；

在所述腔的表面上沉积第二金属层；

将圈图案化在所述第二金属层中以暴露所述第二氧化物层；以及

在第二衬底上形成金属层，并将所述第二衬底结合到所述第一衬底，从而密封所述腔。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在产生所述腔之前，在所述第二氧化物层的所述表面上和所述天线上方形成第三氧化物层。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括在产生所述腔之后移除所述第三氧化物层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括将电子带隙结构沉积并图案化在所述非导电结构上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中产生所述腔包括湿蚀刻所述腔。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述湿蚀刻使用氢氧化钾(KOH)和四甲基氢氧化铵(TMAH)中的至少一种作为湿蚀刻剂。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述第二衬底结合到所述第一衬底包括在所述第一衬底和第二衬底中的至少一个的表面上沉积共晶合金。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述非导电结构结合到所述第二氧化物层的所述表面包括将玻璃板结合到所述第一氧化物层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一衬底和第二衬底包括半导体晶片。

10.根据权利要求1所述的方法，其中结合所述非导电结构包括玻璃，并且所述第一衬底和第二衬底包括半导体晶片。

11.一种器件，包括：

第一衬底，其包括腔；

第一氧化物层，其在所述第一衬底的表面上；

第一金属层，其在与所述第一衬底相对的所述第一氧化物层的表面上；

第二氧化物层，其在与所述第一氧化物层相对的所述第一金属层的表面上；

非导电结构，其结合到与所述第一金属层相对的所述第二氧化物层的表面；

第一天线，其被图案化在与所述第二氧化物层相对的所述非导电结构的表面上；以及

第二衬底，其结合到所述第一衬底，从而密封所述腔，

其中所述腔从所述第一衬底与所述第二衬底之间的界面延伸到所述第二氧化物层。

12.根据权利要求12所述的器件，还包括在所述非导电结构的表面上的电子带隙结构。

13.根据权利要求11所述的器件，其中所述腔包括偶极分子。

14.根据权利要求13所述的器件，其中所述偶极分子是水分子，并且所述腔具有小于0.15毫巴的压力。

15.根据权利要求11所述的器件，其中所述非导电结构包括玻璃、陶瓷和硅中的至少一种。

16.根据权利要求11所述的器件，其中所述第一衬底包括半导体晶片、陶瓷和金属中的至少一种，并且其中所述第二衬底包括半导体衬底、陶瓷和金属中的至少一种。

17.根据权利要求11所述的器件，其中所述非导电结构包括玻璃，并且所述第一衬底和所述第二衬底中的每个包括半导体衬底。