[发明专利]极性纳米工程化的弛豫PbTiOi铁电晶体

权利要求书

1.一种弛豫PT基压电晶体，包括通式

（Pb_1-1.5xM_x）{[(M_I,M_II)_1-z(M_I’,M_II’)_z]_1-yTi_y}O₃，

其中：

M是稀土阳离子，其选自Pr³⁺、Nd³⁺、Pm³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Dy³⁺、Ho³⁺、Er³⁺、Tm³⁺、Yb³⁺、Lu³⁺中的一种或多种；

M_I选自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺和In³⁺；

M_II是Nb⁵⁺；

M_I’选自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺、In³⁺和Zr⁴⁺；

M_II’是Nb⁵⁺或Zr⁴⁺；

0＜x≤0.05；

0.02＜y＜0.7；和

0≤z＜1，

如果M_I’或M_II’是Zr⁴⁺，则M_I’和M_II’是Zr⁴⁺，以及

其中所述弛豫PT基压电晶体为单晶体。

2.根据权利要求1所述的晶体，其中z是0，晶体为二元晶体。

3.根据权利要求2所述的晶体，其中M_I选自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺和In³⁺，以及M_II是Nb⁵⁺。

4.根据权利要求1所述的晶体，其中0＜z＜1，晶体为三元晶体。

5.根据权利要求4所述的晶体，其中M_I选自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺和In³⁺，以及M_II是Nb⁵⁺，以及M_I’和M_II’各自为Zr⁴⁺。

6.根据权利要求4所述的晶体，其中M_I和M_I’各自独立地选自Mg²⁺、Zn²⁺、Yb³⁺、Sc³⁺和In³⁺，以及M_II和M_II’各自为Nb⁵⁺。

7.根据权利要求1所述的晶体，其中M选自Nd³⁺、Sm³⁺、Eu³⁺、Gd³⁺中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的晶体，其中M是Sm³⁺。