[发明专利]设计关键性分析扩充的工艺窗合格取样有效

专利信息
申请号: 201880056906.1 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN111051988B 公开(公告)日: 2021-11-05
发明(设计)人: J·C·萨拉斯瓦图拉;S·巴纳吉;A·库尔卡尼 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/67
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 刘丽楠
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 设计 关键性 分析 扩充 工艺 合格 取样
【权利要求书】:

1.一种用于半导体晶片的重检的方法,其包括:

使用处理器基于多个工艺条件来将来自多个基于设计的分组储格的缺陷分类成多个类别;

使用所述处理器基于设计的类似性来将所述缺陷分类成多个储格,其中所述储格中的每一者包含所述基于设计的分组储格中的至少一者;

使用所述处理器来从所述基于设计的分组储格中的每一者中的所述缺陷选择随机缺陷;

使用所述处理器来对所述随机缺陷中的每一者执行基于形状的分组;

对于所述储格中的每一者,在所述基于形状的分组之后使用所述处理器来选择具有分数范围的末端上的分数的所述基于设计的分组储格中的一者,其中所述分数是最高分数或最低分数;

使用所述处理器来将选定的相应分数赋予所述储格中的每一者;

使用所述处理器来使所述储格按所述相应分数依序分类;及

使用所述处理器来对于所述多个工艺条件中的每一者从所述储格中的每一者选择具有最高缺陷属性值的所述缺陷中的一者。

2.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括在选择具有所述最高缺陷属性值的所述缺陷之后使用扫描电子显微镜来执行晶片的重检。

3.根据权利要求1所述的方法,其进一步包括:

使用所述处理器来将所述缺陷、所述储格及所述基于设计的分组储格重新排序;及

重复赋予所述相应分数、使所述储格从所述分数开始依序分类及选择具有所述最高缺陷属性值的所述缺陷中的一者。

4.根据权利要求3所述的方法,其进一步包括在选择具有所述最高缺陷属性值的所述缺陷之后使用扫描电子显微镜来执行晶片的重检。

5.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个类别包含四个类别。

6.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个工艺条件包含聚焦及曝光。

7.根据权利要求1所述的方法,其中基于所述设计的类似性来将所述缺陷分类使用储格合并算法。

8.根据权利要求1所述的方法,其中在将来自所述多个基于设计的分组储格的所述缺陷分类之前,所述方法进一步包括:

使用所述处理器来将所述缺陷分组成所述基于设计的分组储格;

使用所述处理器来将所述基于设计的分组储格整合成所述储格;

使用所述处理器基于所述多个工艺条件来将所述储格分组;及

使用所述处理器来确定指示缺陷计数的拐折的裸片。

9.一种用于半导体晶片的重检的系统,其包括:

处理器及晶片检验工具,所述处理器与电子数据存储单元电子通信,其中所述处理器经配置以:

基于多个工艺条件来将来自多个基于设计的分组储格的缺陷分类成多个类别;

基于设计的类似性来将所述缺陷分类成多个储格,其中所述储格中的每一者包含所述基于设计的分组储格中的至少一者;

从所述基于设计的分组储格中的每一者中的所述缺陷选择随机缺陷;

对所述随机缺陷中的每一者执行基于形状的分组;

对于所述储格中的每一者,在所述基于形状的分组之后选择具有分数范围的末端上的分数的所述基于设计的分组储格中的一者,其中所述分数是最高分数或最低分数;

将选定的相应分数赋予所述储格中的每一者;

使所述储格按所述相应分数依序分类;及

对于所述多个工艺条件中的每一者从所述储格中的每一者选择具有最高缺陷属性值的所述缺陷中的一者。

10.根据权利要求9所述的系统,其中所述晶片检验工具是扫描电子显微镜。

11.根据权利要求9所述的系统,其中所述处理器经进一步配置以:

将所述缺陷、所述储格及所述基于设计的分组储格重新排序;及

重复赋予所述相应分数、使所述储格从所述分数开始依序分类及选择具有所述最高缺陷属性值的所述缺陷中的一者。

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