[发明专利]来自次氧化物的自对准结构

权利要求书

1.一种产生金属氧化物的自对准结构的方法，所述方法包括：

提供基板，所述基板具有基板表面，所述基板表面具有形成于所述基板表面中的至少一个特征，所述至少一个特征从所述基板表面延伸进入所述基板一距离并且具有侧壁和底部；

在所述基板表面上并且在所述至少一个特征中形成金属次氧化物膜；

从所述至少一个特征的外侧的所述基板表面去除所述金属次氧化物膜；以及

氧化所述金属次氧化物膜，以形成从所述至少一个特征膨胀的金属氧化物的自对准结构，所述金属次氧化物膜具有平均金属氧化态，所述平均金属氧化态在大于0至小于所述金属氧化物的平均金属氧化态的范围内。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述金属次氧化物膜具有小于或等于所述金属氧化物的平均金属氧化态的约80％的平均金属氧化态。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述自对准结构基本上正交于所述基板表面。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述金属次氧化物膜包括：金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物或金属硅化物中的一者或多者。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述金属次氧化物膜基本上由金属氮化物组成。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述金属氧化物的金属是钨。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述金属氧化物是WO₃。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述金属次氧化物膜具有小于或等于约1:2.8的钨比氧比率。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述自对准结构具有大于或等于约1:2.85的钨比氧比率。

10.一种产生金属氧化物的自对准结构的方法，所述方法包括：

提供基板，所述基板具有基板表面，所述基板表面具有形成于所述基板表面中的至少一个特征，所述至少一个特征从所述基板表面延伸进入所述基板一距离并具有侧壁和底部；

在所述基板表面上并且在所述至少一个特征中形成金属膜；

处理所述金属膜，以在所述基板表面上并且在所述至少一个特征中形成金属次氧化物膜；

从所述至少一个特征的外侧的所述基板表面去除所述金属次氧化物膜；以及

氧化所述金属次氧化物膜，以形成从所述至少一个特征膨胀的金属氧化物的自对准结构，所述金属次氧化物膜具有平均金属氧化态，所述平均金属氧化态在大于0至小于所述金属氧化物的平均金属氧化态的范围内。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述金属次氧化物膜具有小于或等于所述金属氧化物的平均金属氧化态的约80％的平均金属氧化态。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述自对准结构基本上正交于所述基板表面。

13.如权利要求10所述的方法，其中所述金属次氧化物膜基本上由金属氮化物组成。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述金属氧化物的金属是钨。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述金属氧化物是WO₃。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述金属次氧化物膜具有小于或等于约1:2.8的钨比氧比率。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述自对准结构具有大于或等于约1:2.85的钨比氧比率。