[发明专利]用于光刻装置的光学部件的加热系统在审

专利信息
申请号: 201880057212.X 申请日: 2018-07-18
公开(公告)号: CN111051990A 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: F·J·J·简森;M·A·范德凯克霍夫 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B7/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 光刻 装置 光学 部件 加热 系统
【说明书】:

一种用于加热光刻装置的光学部件的系统,该系统包括加热辐射源,该加热辐射源被配置为发射用于光学部件的加热的加热辐射,其中该系统被配置为将由光刻装置发射的加热辐射引导到光学部件上,加热辐射的一部分被光学部件吸收,并且加热辐射的另一部分被光学部件反射,并且其中系统配置为变化或改变由加热辐射源发射的加热辐射的性质,使得由光学部件反射的加热辐射的其他部分在光刻装置的操作期间是恒定的。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月4日提交的欧洲专利申请17189243.3的优先权,其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种用于加热光刻装置的光学部件的系统以及相关联的装置和方法。

背景技术

光刻装置是构造为将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造中。光刻装置可以例如将图案从图案形成设备(例如掩模)投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

光刻装置用来将图案投影到衬底上的辐射波长确定了可以在该衬底上形成的特征的最小尺寸。与传统的光刻装置相比,使用EUV辐射的光刻装置是具有在4-20nm范围内的波长的电磁辐射,可以用于在衬底上形成更小的特征(例如,可以使用波长为193的电磁辐射纳米)。

在使用中,EUV辐射可以在光刻装置中被打开和关闭。这可能在光刻装置的一个或多个部件上引起热负荷,例如动态热负荷。例如,光刻装置可以包括投影系统。投影系统可以包括一个或多个光学部件,其被配置为将图案从图案形成设备投影到衬底上。

一个或多个光学部件可以被加热。一种或多种组分的加热可以根据是否打开或关闭EUV辐射以保持一种或多种光学组分上的热负荷恒定而变化。一些热量可能从光学部件反射到投影系统的一个或多个其他部件上。一个或多个其他部件可被配置为安装光学部件和/或提供用于一个或多个光学部件的位置测量的参考元件。由于一个或多个光学部件的加热可能会根据EUV辐射是打开还是关闭而变化,因此在一个或多个其他部件上反射的热量也可能会变化。这可能会导致动态热负荷作用在一个或多个其他部件上。作用在一个或多个其他部件上的动态热负荷可能会影响一个或多个光学部件的位置,这可能会导致衬底上的图案化光束发生偏离。这进而可能导致要在衬底上形成的图案中的误差,例如重叠误差,其中图案的一部分没有相对于另一图案正确地定位。

发明内容

根据本发明的第一方面,提供了一种用于加热光刻装置的光学部件的系统,系统包括:加热辐射源,加热辐射源被配置为发射热辐射,以用于光学部件的加热;其中系统被配置为将由加热辐射源发射的加热辐射引导到光学部件上,加热辐射的一部分被光学部件吸收并且加热辐射的另一部分被光学部件反射,并且其中系统被配置为变化或改变由加热辐射源发射的加热辐射的性质,使得由光学部件反射的加热辐射的另一部分在光刻装置的操作期间是恒定的。

因为在光刻装置的操作期间由镜反射的热辐射的一部分是恒定的,所以在光刻装置的其他部件上的热负荷可以是恒定的。这可以减少或防止光学部件和/或其他部件的位置变化,和/或可以减少或防止被光学部件反射的图案化辐射束的偏离。这进而可以减少通过光刻装置在衬底上形成的图案中的误差。

性质可以包括以下中的至少一项:由加热辐射源发射的加热辐射的偏振、偏振态、强度、功率和波长。

系统可以包括第一配置和第二配置,在第一配置中被引导到光学部件上的加热辐射包括第一性质,在第二配置中被引导到光学部件上的加热辐射包括第二性质。

第一性质可以包括第一波长、第一偏振态、第一功率和第一强度中的至少一项,并且第二性质可以包括第二波长、第二偏振态、第二功率和第二强度中的至少一项。

在第一偏振态中,加热辐射可以包括偏振加热辐射或p偏振加热辐射。

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