[发明专利]用于监测制造过程的方法在审
申请号: | 201880057242.0 | 申请日: | 2018-08-16 |
公开(公告)号: | CN111051991A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | I·S·巴尔布;M·博兹库尔特;M·范德沙尔;A·达科斯塔·埃萨弗劳 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 监测 制造 过程 方法 | ||
1.一种监测制造过程的方法,其中多层产品结构通过图案化步骤、物理处理步骤和化学处理步骤的组合在衬底上被形成,所述方法包括:
(a)用检查辐射照射目标结构;
(b)在所述检查辐射已经被所述目标结构散射之后,捕获表示所述检查辐射的角度分布的至少一个图像;
(c)重复步骤(a)和(b),以捕获由所述制造过程在不同衬底上和/或在衬底上的不同位置处形成的多个标称地相同的目标结构的图像;以及
(d)基于对具有相同设计但在不同衬底上和/或在衬底上的不同位置处形成的目标结构的所述图像的比较,推断所述不同位置之间的结构中的差异的存在。
2.根据权利要求1所述的方法,其中结构中的差异的所述存在在步骤(d)中被推断,而不推断结构中的特定差异。
3.根据权利要求2所述的方法,其中结构中的差异的所述存在在步骤(d)中被推断,而不在所述目标结构内的几何属性和材料属性的变化之间进行区分。
4.根据任一前述权利要求所述的方法,其中在步骤(d)中不仅各结构中的差异的存在还是不存在被确定,所述差异的程度也被确定。
5.根据任一前述权利要求所述的方法,其中在步骤(d)中图像处理被执行以通过一个或多个图像参数表征每个图像,并且其中在步骤(d)中的所述比较基于所述图像参数的比较。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述图像处理包括对一种或多种类型的特征的识别,并且其中所述比较至少部分地基于图像参数,所述图像参数包括以下中的一项:在所述图像的部分中的第一类型的特征的数目,所述第一类型的特征在被捕获的所述图像内的定位,所述第一类型的特征的形状,所述第一类型的特征相对于所述第一类型的其他特征的定位,所述第一类型的特征相对于第二类型的特征的强度,所述第一类型的特征相对于第二类型的特征的定位。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述第一类型的特征是弧形特征。
8.根据任一前述权利要求所述的方法,还包括步骤:
(e)通过测量已经经受与步骤(b)中使用的所述目标结构相同的处理步骤的多个目标结构,来确定所述制造过程的性能的参数,
其中在步骤(e)中,部分地基于针对在步骤(b)中在对应位置和/或衬底处测量的目标结构而在步骤(d)中推断的结构中的所述差异,针对每个目标结构的所述测量被确定。
9.根据权利要求8所述的方法,其中在步骤(e)中进行的所述测量使用先前确定的校准信息来基于从所述目标结构获得的测量信号确定性能的所述参数,并且其中取决于推断的所述差异,所述校准信息针对每个目标被调整。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述校准信息定义对检查设备的伪影的校正,并且其中所述校正的强度响应于针对所述对应位置和/或衬底推断的差异的程度而被调整。
11.根据权利要求9所述的方法,其中所述校准信息定义对杂散光的校正,所述校正的程度取决于结构中的所推断的差异。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法,其中步骤(e)中的所述测量是通过暗场成像进行的。
13.根据权利要求12所述的方法,其中步骤(e)中的所述测量是使用检查设备的场图像传感器进行的,并且步骤(b)中的所述测量是使用光瞳图像传感器进行的,并且其中步骤(a)的所述照射以及步骤(b)和(e)中的所述测量是通过公共物镜进行的。
14.根据权利要求12或13所述的方法,其中对于步骤(e)中的所述测量,检查辐射的斑点过度填充复合目标结构内的多个分量光栅,并且对于步骤(b)中的所述测量,检查辐射的斑点未填充满所述复合目标结构内的一个分量光栅。
15.根据权利要求8至14中的任一项所述的方法,其中步骤(e)中的所述测量是所述目标结构的与不对称性有关的属性的测量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ASML荷兰有限公司,未经ASML荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201880057242.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。