[发明专利]溅射装置有效

专利信息
申请号: 201880057316.0 申请日: 2018-06-25
公开(公告)号: CN111094618B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 中野贤明;柳沼宽寿 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C23C14/35;H01L21/285
代理公司: 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 代理人: 齐永红;秦岩
地址: 日本神奈川*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 溅射 装置
【权利要求书】:

1.一种溅射装置,其包括配置有靶的真空室,使在真空室内与靶相对配置的圆形基板以其中心为旋转中心旋转规定转数,并对直径与基板相同或更长的靶进行溅射且在基板表面形成薄膜,所述溅射装置的特征在于,其具有:

台架,其以基板中心距离靶中心在径向的一个方向上偏移规定间隔的状态旋转自如地保持该基板;以及挡板,其设置在靶和台架上的基板之间并覆盖基板;挡板上形成开口部,其允许通过以规定放电压力对靶进行溅射而从靶飞散的溅射粒子通过到达基板侧,

开口部具有的轮廓是:以基板中心区域为起点,从该起点开始朝着径向外方向使开口部的开口面积逐渐增加,开口面积的增加量根据靶和基板之间的距离来设置,

所述开口部具有扇形轮廓,

基板半径设为r、靶和基板之间的距离设为d,

基板中心偏移为距离靶中心r/3及以上,

所述开口部的面积设置为挡板导致的基板的被遮挡面积比大于1-(d÷2r/2.66)的值,

还具有移动单元,其使所述挡板可沿着基板相对于所述靶中心偏移的方向移动。

2.根据权利要求1所述的溅射装置,其特征在于:

所述开口部的中心角设置在60~120°的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的溅射装置,其特征在于,包括:

磁体单元,其配置在靶相对于基板的背面侧,且产生的漏磁场在靶和基板之间以及在靶中心和靶的外周部之间不均匀分布:以及

旋转单元,其以靶中心作为旋转中心使磁体单元旋转,

还具有控制单元,其分别控制磁体单元和台架的转数以使磁体单元和台架不同步。

4.根据权利要求1或2所述的溅射装置,其特征在于:

所述挡板和基板之间的距离是所述放电压力的平均自由程的2倍以内。

5.根据权利要求1或2所述的溅射装置,其特征在于:

所述挡板的开口部使基板中心区域露出。

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