[发明专利]气密密封的分子光谱室

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

非导电结构，其具有相反的第一表面和第二表面；

第一金属层，其在所述第二表面上，所述第一金属层具有暴露所述第二表面的一部分的开口；

衬底，其具有第三表面和从所述第三表面延伸到所述衬底中的腔，所述腔具有小于0.15毫巴的内部压力；

第二金属层，其在所述第三表面和所述腔的表面上；

至少一个结合结构，其将所述第一金属层的一部分附接到所述第二金属层的一部分；以及

天线，其在所述第一表面上，以致所述开口在所述天线和所述腔之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少一个结合结构气密密封所述腔。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述腔包含偶极分子。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述偶极分子是水分子。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述非导电结构包括玻璃、陶瓷或硅中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述衬底包括半导体晶片或陶瓷中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述非导电结构包括玻璃，并且所述衬底包括半导体衬底。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：

所述天线是第一天线；

所述半导体装置还包括放大器、滤波器、信号发生器和在所述第一表面上的第二天线；

所述信号发生器具有：控制输入；以及耦合到所述第一天线的信号发生器输出；

所述信号发生器被配置为基于在所述控制输入处的控制信号，产生并且调节在所述信号发生器输出处的发射信号的频率；

所述放大器具有：耦合到所述第二天线的第一输入；耦合到所述信号发生器输出的第二输入；和放大器输出；

所述放大器被配置成基于：来自所述第二天线的接收信号；以及来自所述信号发生器的所述发射信号，在所述放大器输出处产生误差信号；以及

所述滤波器具有：耦合到所述放大器输出的滤波器输入；和耦合到所述控制输入的滤波器输出；

所述滤波器被配置成基于所述误差信号产生控制信号。

9.一种半导体装置，包括：

玻璃片，其具有相反的第一表面和第二表面；

第一金属层，其在所述第二表面上，所述第一金属层具有暴露所述第二表面的一部分的开口；

半导体衬底，其具有第三表面和从所述第三表面延伸到所述半导体衬底中的腔；

第二金属层，其在所述第三表面和所述腔的表面上，所述第二金属层的一部分附接到所述第一金属层的一部分；

第一天线和第二天线，其在所述第一表面上；以及

收发器，其电耦合到所述第一天线和所述第二天线，所述收发器被配置为通过所述第一天线将发射信号注入所述腔中，基于所述发射信号和来自所述第二天线的接收信号产生误差信号，并基于所述误差信号动态调整所述发射信号的频率；

所述腔，其含有偶极分子并且具有小于0.15毫巴的内部压力。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述收发器包括：

信号发生器，其具有控制输入；以及耦合到所述第一天线的信号发生器输出；

所述信号发生器被配置为基于在所述控制输入处的控制信号，产生并且调节在所述信号发生器输出处的发射信号的频率；

放大器，其具有：耦合到所述第二天线的第一输入；耦合到所述信号发生器输出的第二输入；和放大器输出；

所述放大器被配置成在所述放大器输出处产生所述误差信号；以及

环路滤波器，其具有：耦合到所述放大器输出的滤波器输入；和耦合到所述控制输入的滤波器输出；

所述环路滤波器被配置为基于所述误差信号产生所述控制信号。

11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述第二金属层的所述部分通过气密密封所述腔的至少一个结合结构附接到所述第一金属层的所述部分。