[发明专利]包括绝缘材料和存储器单元的垂直交替层的存储器阵列以及形成存储器阵列的方法有效
申请号: | 201880057380.9 | 申请日: | 2018-08-31 |
公开(公告)号: | CN111052377B | 公开(公告)日: | 2023-09-22 |
发明(设计)人: | D·V·N·拉马斯瓦米 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/07 | 分类号: | H01L27/07;H01L27/02;H10B41/27;H10B43/27;H10B12/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 包括 绝缘材料 存储器 单元 垂直 交替 阵列 以及 形成 方法 | ||
1.一种包括绝缘材料和存储器单元的垂直交替层的存储器阵列,所述存储器单元个别地包括晶体管和电容器,所述晶体管和所述电容器在所述存储器单元的层内相对于彼此被水平地布置,所述电容器包括:
第一电极,其电耦合到所述晶体管的源极/漏极区,所述第一电极被布置在衬底上方的高度处,所述衬底上方的高度相当于所述晶体管的沟道区的所述衬底上方的高度,所述第一电极包括直线水平横截面中的环形;
电容器绝缘体,其从所述第一电极环形径向朝内;以及
第二电极,其从所述电容器绝缘体径向朝内;以及
电容器-电极结构,其竖向延伸穿过垂直交替层中的多个层,个别电容器的所述第二电极中的个别第二电极电耦合到所述竖向延伸的电容器-电极结构;以及
感测线,其电耦合到在不同存储器-单元层中的多个晶体管的第二源极/漏极区。
2.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述电容器-电极结构包括导柱。
3.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述电容器绝缘体竖向延伸穿过所述垂直交替层。
4.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述电容器绝缘体包括直线水平横截面中的环形。
5.根据权利要求4所述的存储器阵列,其中所述电容器绝缘体竖向延伸穿过所述垂直交替层。
6.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述第二电极在任何直线水平横截面中均不是环形。
7.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述电容器-电极结构在任何直线水平横截面中均不是环形。
8.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述电容器-电极结构垂直延伸,或在垂直的10°内。
9.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述感测线包括竖向延伸穿过所述垂直交替层的感测线结构,在不同存储器-单元层中的所述晶体管中的个别晶体管的所述第二源极/漏极区中的个别第二源极/漏极区电耦合到所述竖向延伸的感测线结构。
10.根据权利要求9所述的存储器阵列,其中所述感测线结构包括导柱。
11.根据权利要求9所述的存储器阵列,其中所述感测线包括水平纵向伸长的导电线,其在所述垂直交替层上方或下方,且直接电耦合到所述感测线结构。
12.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中所述电容器-电极结构直接电耦合到在所述垂直交替层上方或下方的水平伸长的电容器-电极构造。
13.根据权利要求1所述的存储器阵列,其中,
所述感测线包括竖向延伸穿过所述垂直交替层的感测线结构,所述晶体管中的个别晶体管的所述第二源极/漏极区中的个别第二源极/漏极区电耦合到所述竖向延伸的感测线结构;
所述感测线包括水平纵向伸长的导电线,其在所述垂直交替层上方,且直接电耦合到所述感测线结构;且
所述电容器-电极结构直接电耦合水平伸长的电容器-电极构造,其在所述垂直交替层上方,且在所述水平纵向伸长的导电线下方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的