[发明专利]用于沉积或处理碳化合物的微波反应器

权利要求书

1.一种用于处理工件的等离子体反应器，包含：

腔室，具有介电窗；

工件支撑件，用以在所述腔室中保持工件；

旋转耦合器，包含配置成耦合至微波源的固定台和具有旋转轴的可旋转台；

微波天线，并覆盖所述腔室的所述介电窗，所述微波天线包括耦合至所述可旋转台的至少一个导管；

旋转致动器，用以旋转所述微波天线；和

处理气体分配器，包括环绕所述工件支撑件的气体分配环，所述气体分配环包括将圆柱形导管从所述腔室分开的圆柱形腔室衬垫，和径向延伸穿过所述衬垫的多个孔，以将所述导管连接至所述腔室。

2.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中所述多个孔以在所述圆柱形腔室衬垫四周间以均匀的角度分配隔开来。

3.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中所述圆形导管在所述圆柱形腔室衬垫四周不间断地延伸。

4.如权利要求1所述的等离子体反应器，包含真空泵，耦合至所述圆形导管。

5.如权利要求4所述的等离子体反应器，其中所述圆形导管包含耦合至处理气体供应器的第一弧形，耦合至所述真空泵的第二弧形，和避免在所述第一弧形与所述第二弧形之间直接流体流动的阻隔件。

6.如权利要求5所述的等离子体反应器，其中所述第一弧形和所述第二弧形具有实质上相同的弧形长度。

7.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中所述多个孔定位成低于由所述工件支撑件的顶部表面所限定的平面。

8.如权利要求1所述的等离子体反应器，包含气体分配板，在所述腔室的顶板上。

9.如权利要求8所述的等离子体反应器，其中所述介电窗提供所述气体分配板。

10.如权利要求1所述的等离子体反应器，其中所述气体分配环具有介于六个及一百个之间的孔。

11.一种用于处理工件的等离子体反应器，包含：

腔室，具有介电窗；

工件支撑件，用以在所述腔室中保持工件；

旋转耦合器，包含配置成耦合至微波源的固定台和具有旋转轴的可旋转台；

微波天线，并覆盖所述腔室的所述介电窗；

旋转致动器，用以旋转所述微波天线；和

第一气体供应器，用以提供烃类气体；

第二气体供应器，用以提供惰性气体；

气体分配器，用以将所述烃类气体和所述惰性气体传送至所述腔室；

真空泵，耦合至所述腔室以排空所述腔室；和

控制器，配置成操作所述微波源、所述气体分配器和所述真空泵，以在所述工件上沉积碳同素异形体。

12.如权利要求11所述的等离子体反应器，其中所述气体分配器包括环绕所述工件支撑件的气体分配环，所述气体分配环包括将圆形导管从所述腔室分开的圆柱形腔室衬垫，和径向延伸穿过所述衬垫的多个孔，以将所述导管连接至所述腔室。

13.如权利要求11所述的等离子体反应器，其中所述控制器配置成造成所述第一气体供应器和第二气体供应器建立20mTorr至20Torr的总压力。

14.如权利要求11所述的等离子体反应器，其中所述控制器配置成造成所述第一气体供应器和第二气体供应器建立烃类气体对惰性气体为0.05至1的相对流率。

15.一种处理工件的方法，包含以下步骤：

将工件放置于腔室中的工件支撑件上；

排空所述腔室；

通过多个孔供应烃类气体，所述多个孔径向延伸穿过气体分配环的衬垫，所述气体分配环环绕所述工件支撑件；

供应惰性气体至所述腔室中；和

从微波天线通过介电窗施加微波辐射，同时旋转所述天线，以便在所述腔室中产生等离子体，且在所述工件上沉积碳同素异形体。