[发明专利]光电转换元件和光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换元件，包括具备两个主面的光电转换基板，其中，

包括分离的第1灵敏度部分和第2灵敏度部分，

若将所述第1灵敏度部分的显露在所述主面的灵敏度区域作为第1灵敏度区域，并将所述第2灵敏度部分的显露在所述主面的灵敏度区域作为第2灵敏度区域，则对于所述第1灵敏度区域而言，

接收向所述主面入射的入射光的至少一部分，

成为如下图案，即，随着所述主面中的被照射入射光的照射区域的增大而减小所述照射区域中的所述第1灵敏度区域相对于所述第2灵敏度区域的比率，

所述光电转换基板包含单晶硅材料，

在所述光电转换基板的一个所述主面侧形成有第1导电型半导体层，

在所述光电转换基板的另一所述主面侧形成有第2导电型半导体层，

依次形成于所述光电转换基板的一个所述主面侧的钝化层、所述第1导电型半导体层以及透明电极层在所述第1灵敏度区域与所述第2灵敏度区域之间连续，依次形成于所述光电转换基板的另一所述主面侧的钝化层、所述第2导电型半导体层以及透明电极层在所述第1灵敏度区域与所述第2灵敏度区域之间分离，

或者，依次形成于所述光电转换基板的一个所述主面侧的钝化层、所述第1导电型半导体层以及透明电极层在所述第1灵敏度区域与所述第2灵敏度区域之间分离，依次形成于所述光电转换基板的另一所述主面侧的钝化层、所述第2导电型半导体层以及透明电极层在所述第1灵敏度区域与所述第2灵敏度区域之间连续。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第1灵敏度区域在所述主面形成放射状地延伸的至少两条以上的带状的图案。

3.根据权利要求2所述的光电转换元件，其中，

所述第1灵敏度区域形成正交的两条带状的图案。

4.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

所述第1灵敏度区域在所述主面形成1条带状的图案。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的光电转换元件，其中，

所述带状的图案的宽度恒定。

6.根据权利要求2～4中任一项所述的光电转换元件，其中，

所述带状的图案的宽度从所述主面的中心朝向周边变宽。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的光电转换元件，其中，

所述光电转换元件具备：

多个第1电极，从所述第1灵敏度部分输出电流；和

多个第2电极，从所述第2灵敏度部分输出电流，

所述多个第1电极和所述多个第2电极在周边部分离配置。

8.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

依次形成于所述主面中的受光的一侧的所述主面亦即受光面侧的钝化层、所述第1导电型半导体层以及透明电极层在所述第1灵敏度区域与所述第2灵敏度区域之间连续，

依次形成于所述受光面的相反侧的所述主面亦即背面侧的钝化层、所述第2导电型半导体层以及透明电极层在所述第1灵敏度区域与所述第2灵敏度区域之间分离。

9.根据权利要求1所述的光电转换元件，其中，

依次形成于所述主面中的受光的一侧的所述主面亦即受光面侧的钝化层、所述第1导电型半导体层以及透明电极层在所述第1灵敏度区域与所述第2灵敏度区域之间分离，

依次形成于所述受光面的相反侧的所述主面亦即背面侧的钝化层、所述第2导电型半导体层以及透明电极层在所述第1灵敏度区域与所述第2灵敏度区域之间连续。

10.一种光电转换装置，其中，

包括权利要求1～9中任一项所述的光电转换元件。

11.根据权利要求10所述的光电转换装置，其中，

还包括运算部，所述运算部基于所述光电转换元件中的所述第1灵敏度部分的输出电流和所述第2灵敏度部分的输出电流，运算所述光电转换元件中的入射光的光点尺寸。