[发明专利]量测方法和装置

说明书

一种方法，包括：针对一个或多个测量质量参数，评估与使用图案化过程所处理的衬底的量测目标的测量相关联的多个偏振特性；并且基于测量质量参数中的一个或多个测量质量参数，从多个偏振特性中选择一个或多个偏振特性。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月6日提交的EP申请17189662.4的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及用于检查(例如，量测)的方法和装置，并且涉及使用光刻技术制造设备的方法，所述用于检查的方法和装置例如可用于通过光刻技术而进行的设备制造中。

背景技术

光刻装置是将期望图案施加到衬底上(通常，施加到衬底的目标部分上)的机器。光刻装置可以用于例如制造集成电路(IC)。在该实例中，图案化设备(其可替代地称为掩模或掩模版)可以用于生成要被形成在IC的个体层上的电路图案。该图案可以传递到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个裸片的一部分)上。图案通常经由成像传递到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。一般而言，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。

实现图案化过程(即，产生设备或其他结构的过程涉及图案化(例如，光刻曝光或压印)，该过程通常可以包括诸如抗蚀剂的显影、蚀刻等的一个或多个相关联的处理步骤)的重要方面包括：显影过程本身，对其进行设置以进行监测和控制，并且然后实际监测和控制过程本身。假设对图案化过程的基础性的配置，诸如一个(或多个)图案化设备的图案、一个(或多个)抗蚀剂类型、光刻后过程步骤(诸如显影、蚀刻等)，则期望对图案化过程中的装置进行设置以便将图案传递到衬底上，显影一个或多个量测目标以监测该过程，设置量测过程以测量量测目标，并且随后实施基于测量来监测和/或控制过程的过程。

因此，在图案化过程中，期望确定(例如，测量、使用对图案化过程的一个或多个方面进行建模的一个或多个模型来模拟等)一个或多个感兴趣参数，诸如结构的临界尺寸(CD)、在衬底内或上形成的连续层之间的重叠误差(即，连续层的不期望的和无意的未对准)等。

期望确定由图案化过程产生的结构的这样的一个或多个感兴趣参数，并且将其用于与图案化过程有关的设计、控制和/或监测，例如，用于过程设计、控制和/或验证。图案化结构的所确定的一个或多个感兴趣参数可以用于图案化过程设计、校正和/或验证、缺陷检测或分类、产率估计和/或过程控制。

因此，在图案化过程中，经常期望对所产生的结构进行测量，例如，用于过程控制和验证。进行这种测量的各种工具是已知的，其包括通常用于测量临界尺寸(CD)的扫描电子显微镜、以及用于测量重叠的专用工具，该重叠是设备中两个层的对准的准确性的度量。可以按照两个层之间的未对准程度对重叠进行描述，例如，对所测量的1nm重叠的引用可以描述其中两个层未对准1nm的情况。

已经开发出各种形式的检查装置(例如，量测装置)以用于光刻领域。这些设备将辐射束引导到目标上，并且测量重定向(例如，散射)辐射的一个或多个性质(例如，作为波长函数的在单个反射角处的强度；作为反射角函数的在一个或多个波长处的强度；或作为反射角的函数的偏振)，以获得“光谱”，从该光谱中可以确定目标的感兴趣性质。可以通过各种技术来执行感兴趣性质的确定：例如，通过诸如严格耦合波分析或有限元方法之类的迭代方法来重构目标；库搜索；以及主成分分析。