[发明专利]用于OLED像素沉积的金属材料沉积掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种金属材料OLED沉积掩模，所述沉积掩模包括：

沉积区域和非沉积区域，

其中，所述沉积区域包括有效部分和非有效部分，

其中，所述有效部分包括多个通孔，所述多个通孔包括从一个表面沿深度方向形成的小表面孔和从与所述一个表面相反的另一表面沿深度方向形成的且与所述小表面孔连通的大表面孔，以及

在所述另一表面上位于多个所述大表面孔之间的岛状部分，

其中，在所述另一表面上的所述岛状部分的在纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度和在侧向方向上的平均中心线平均表面粗糙度分别为0.1μm至0.3μm，

在所述另一表面上的所述岛状部分的在所述纵向方向上的平均10点平均表面粗糙度和在所述侧向方向上的平均10点平均表面粗糙度分别为0.5μm至1.5μm，

所述岛状部分的在所述纵向方向上的所述平均中心线平均表面粗糙度的值相对于所述岛状部分的在所述侧向方向上的所述平均中心线平均表面粗糙度的偏差小于50％，以及

所述岛状部分的在所述纵向方向上的所述平均10点平均表面粗糙度的值相对于所述岛状部分的在所述侧向方向上的所述平均10点平均表面粗糙度的偏差小于50％，

其中，在所述一个表面和所述另一表面中的每个表面上、所述非沉积区域的在纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度和在侧向方向上的平均中心线平均表面粗糙度为0.1μm至0.3μm，

在所述一个表面和所述另一表面中的每个表面上、所述非沉积区域的在所述纵向方向上的平均10点平均表面粗糙度Rz和在所述侧向方向上的平均10点平均表面粗糙度为0.5μm至1.5μm，

所述非沉积区域的在所述纵向方向上的所述平均中心线平均表面粗糙度的值相对于所述非沉积区域的在所述侧向方向上的所述平均中心线平均表面粗糙度的偏差小于50％，以及

所述非沉积区域的在所述纵向方向上的所述平均10点平均表面粗糙度的值相对于所述非沉积区域的在所述侧向方向上的所述平均10点平均表面粗糙度的偏差小于50％，并且

其中，所述纵向方向是所述金属材料的轧制方向，并且所述侧向方向是垂直于所述轧制方向的方向。

2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，

所述岛状部分的在对角线方向上的平均中心线平均表面粗糙度为0.1μm至0.3μm，

所述岛状部分的在所述对角线方向上的平均10点平均表面粗糙度为0.5μm至1.5μm，以及

所述对角线方向是所述纵向方向与所述侧向方向之间的方向。

3.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，

所述非沉积区域的在对角线方向上的平均中心线平均表面粗糙度为0.1μm至0.3μm，

所述非沉积区域的在所述对角线方向上的平均10点平均表面粗糙度为0.5μm至1.5μm，以及

所述对角线方向是所述纵向方向与所述侧向方向之间的方向。

4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，

所述岛状部分的在所述纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度和在所述侧向方向上的平均中心线平均表面粗糙度为0.1μm至0.2μm，

所述岛状部分的在所述纵向方向上的所述平均中心线平均表面粗糙度的值相对于在所述侧向方向上的所述平均中心线平均表面粗糙度的偏差小于30％，以及

所述岛状部分的在所述纵向方向上的所述平均10点平均表面粗糙度的值相对于在所述侧向方向上的所述平均10点平均表面粗糙度的偏差小于30％。

5.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，

所述非沉积区域的在所述纵向方向上的平均中心线平均表面粗糙度和在所述侧向方向上的平均中心线平均表面粗糙度为0.1μm至0.2μm，

所述非沉积区域的在所述纵向方向上的所述平均中心线平均表面粗糙度的值相对于所述非沉积区域的在所述侧向方向上的所述平均中心线平均表面粗糙度的偏差小于30％，以及

所述非沉积区域的在所述纵向方向上的所述平均10点平均表面粗糙度的值相对于所述非沉积区域的在所述侧向方向上的所述平均10点平均表面粗糙度的偏差小于30％。