[发明专利]光子检测装置和光子检测方法在审
申请号: | 201880058409.5 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN111406325A | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 朴赞勇;白洙弦;朴哲右;赵锡范 | 申请(专利权)人: | ID量子技术公司;屋里露株式会社 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/02;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 段丹辉;刘久亮 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光子 检测 装置 方法 | ||
1.一种光子检测装置,该光子检测装置包括:
第一光接收部,该第一光接收部被配置为接收选通信号并输出第一信号;
第二光接收部,该第二光接收部被配置为接收所述选通信号并输出第二信号;以及
确定部,该确定部被配置为基于从所述第一光接收部接收到的所述第一信号和从所述第二光接收部接收到的所述第二信号来确定是否接收到光子,
其中,被配置为接收光子的所述第一光接收部的击穿电压低于所述第二光接收部的击穿电压。
2.根据权利要求1所述的光子检测装置,其中,所述选通信号在有效时间段内保持在第一电压,并且在除了所述有效时间段之外的无效时间段内保持在比所述第一电压低的第二电压。
3.根据权利要求2所述的光子检测装置,其中,所述第一电压高于所述第一光接收部的击穿电压并且低于所述第二光接收部的击穿电压,或者高于所述第一光接收部的击穿电压和所述第二光接收部的击穿电压。
4.根据权利要求1所述的光子检测装置,其中,所述确定部基于通过将所述第一信号与相位被反相的所述第二信号组合而生成的信号来确定是否接收到光子。
5.根据权利要求1所述的光子检测装置,其中,
所述第一信号包括源自光子接收的信号和源自所述第一光接收部的信号,并且
所述第二信号包括源自所述第二光接收部的信号。
6.根据权利要求5所述的光子检测装置,其中,
源自所述第一光接收部的信号为源自所述第一光接收部的电容的第一电容响应信号,并且
源自所述第二光接收部的信号为源自所述第二光接收部的电容的第二电容响应信号,并且
所述第一电容响应信号与所述第二电容响应信号基本相同。
7.根据权利要求1所述的光子检测装置,其中,所述第一光接收部中所包括的倍增层与所述第二光接收部中所包括的倍增层具有不同的厚度。
8.根据权利要求7所述的光子检测装置,其中,所述倍增层的厚度与所述击穿电压的幅度成比例,所述第二光接收部中所包括的倍增层比所述第一光接收部中所包括的倍增层厚。
9.根据权利要求7所述的光子检测装置,其中,所述第一光接收部中所包括的倍增层与所述第二光接收部中所包括的倍增层具有不同的直径。
10.根据权利要求9所述的光子检测装置,其中,所述第二光接收部中所包括的倍增层的直径大于所述第一光接收部中所包括的倍增层的直径。
11.根据权利要求1所述的光子检测装置,所述光子检测装置包括基板,所述第一光接收部和所述第二光接收部形成在所述基板上。
12.根据权利要求11所述的光子检测装置,其中,所述第一光接收部和所述第二光接收部位于所述基板的第一表面上。
13.根据权利要求12所述的光子检测装置,所述光子检测装置还包括阻挡膜,所述阻挡膜位于所述基板的与所述基板的所述第一表面面对的第二表面上。
14.根据权利要求13所述的光子检测装置,其中,所述阻挡膜包括透射孔,该透射孔被设置成与所述第一光接收部对应。
15.根据权利要求14所述的光子检测装置,所述光子检测装置还包括抗反射膜,该抗反射膜设置在所述透射孔中。
16.根据权利要求12所述的光子检测装置,其中:
所述基板的所述第一表面包括第一区域和第二区域,所述第一区域和所述第二区域由在所述第一光接收部和所述第二光接收部之间的元件分离槽分隔开;并且
所述第一光接收部位于所述第一区域中并且所述第二光接收部位于所述第二区域中。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的