[发明专利]用于测量光刻装置的焦点性能的方法和图案化设备与装置、器件制造方法

权利要求书

1.一种测量光刻装置的焦点性能的方法，所述方法包括：

使用所述光刻装置，在衬底上印刷一个或多个印刷结构，所述一个或多个印刷结构包括一个或多个第一印刷结构和一个或多个第二印刷结构，所述一个或多个第一印刷结构通过具有第一非远心度的照射而被印刷，并且所述一个或多个第二印刷结构通过具有第二非远心度的照射而被印刷，所述第二非远心度与所述第一非远心度不同，其中使用反射掩模版执行所述印刷，所述反射掩模版具有在所述反射掩模版的去谐区域中形成的第一结构或第二结构中的一个结构，所述去谐区域比所述反射掩模版的标称厚度更薄；

测量焦点相关参数，所述焦点相关参数与所述衬底上的所述一个或多个第一印刷结构和所述一个或多个第二印刷结构之间的焦点相关位置偏移有关；

至少部分地基于测量的所述焦点相关参数来得到焦点性能的测量；以及

其中所述反射掩模版具有至少一个反射式图案化设备来图案化所述照射，所述反射式图案化设备包括用于印刷具有所述第一非远心度的所述一个或多个第一印刷结构以及用于印刷具有所述第二非远心度的所述一个或多个第二印刷结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个第一掩模版结构的第一角反射率曲线不同于所述一个或多个第二掩模版结构的第二角反射率曲线，

并且其中，每个角反射率曲线描述对应结构和/或区域的反射率相对于入射到用于所述一个或多个印刷结构的所述印刷的图案化辐射的所述结构和/或区域上的入射角的变化；其中所述图案化辐射用于印刷所述一个或多个第一印刷结构和所述一个或多个第二印刷结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个第一掩模版结构包括具有诱发所述第一非远心度的第一间距的第一周期性结构，并且所述一个或多个第二掩模版结构包括具有诱发所述第二非远心度的第二间距的第二周期性结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个第一掩模版结构包括多个周期性第一掩模版结构，每个周期性第一掩模版结构都具有所述第一间距，并且所述一个或多个第二掩模版结构包括多个周期性第二掩模版结构，每个周期性第二掩模版结构都具有所述第二间距；并且

所述印刷还包括形成具有焦点相关不对称性的单个印刷量测目标，并且其包括多个第一周期性印刷结构和多个第二周期性印刷结构，

其中所述多个第一周期性印刷结构中的每个结构都对应于所述周期性第一掩模版结构中的一个，

其中所述多个第二周期性印刷结构中的每个结构都对应于所述周期性第二掩模版结构中的一个，所述第一周期性印刷结构与所述第二周期性印刷结构交替，以及

其中，每个所述周期性印刷结构都包括光栅，使得所述印刷量测目标包括与第二光栅交替的第一光栅。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个第一掩模版结构形成第一周期性结构，并且所述一个或多个第二掩模版结构形成第二周期性结构，所述第一周期性结构的各个元素与所述第二周期性结构的各个元素交错，使得所述第一周期性结构和第二周期性结构在所述一个或多个印刷结构的所述印刷中形成单个印刷量测目标，所述单个印刷量测目标具有焦点相关不对称性，以及

其中，所述一个或多个第一掩模版结构由掩模版的反射表面上的吸收材料形成，并且所述一个或多个第二掩模版结构嵌入到所述掩模版的反射表面中。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述一个或多个第一掩模版结构和所述一个或多个第二掩模版结构以单层印刷在所述衬底上。

7.一种反射式图案化设备，包括：

一个或多个第一掩模版结构，位于反射衬底上；以及

一个或多个第二掩模版结构，位于所述反射衬底上，

其中由所述第一掩模版结构诱发的第一非远心度不同于由所述第二掩模版结构诱发的第二非远心度，并且

其中所述一个或多个第一掩模版结构或所述一个或多个第二掩模版结构中的一个结构被形成在所述反射衬底的去谐区域中，所述去谐区域比所述反射衬底的标称厚度更薄。