[发明专利]用于非易失性存储器的持续写入

说明书

本发明公开用于持续操作的系统及方法，其包含主机及存储器系统。所述存储器系统在从所述主机接收持续写入命令及相关联写入数据时，基于所述持续写入命令执行将所述写入数据的持续写入到所述存储器系统中的非易失性存储器。所述存储器系统还可从所述主机接收与所述持续写入命令相关联的写入标识WID，在成功完成所述持续写入时向所述主机提供持续写入完成指示连同所述相关联WID。

技术领域

所公开方面是针对存储器系统。更特定来说，示范性方面是针对非易失性存储器的持续写入操作及其协议。

背景技术

存储级存储器(SCM)通常指也可具有高性能的高容量存储器。SCM可用在例如服务器或其它处理系统的应用中，其中用于处理器或中央处理单元的操作数据集可存储在SCM中，而完整数据集可存储在后备存储器或硬式磁盘机中(HDD)。SCM的重要期望为写入的持续性，此意味着如果服务器崩溃或断电，写入到SCM的信息不会丢失。然而，可满足与持续性有关的此些期望的常规非易失性存储器可能不能满足可能期望SCM的容量及性能度量。因此，例如相变存储器(PCM)、自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT MRAM)、电阻RAM(ReRAM)等技术在SCM的实施方案中变得越来越流行。

在使用SCM时，应用可使用存储器写入操作以更新对应持续性存储器。对于对SCM的写入为持续的，请求写入操作的应用可期望显式确认写入操作已到达持续存储器。相比之下，一旦写入操作及相关联数据已经传送到存储器且未要求已写入数据的显示确认，从应用的角度来看，对非持续性存储器(例如动态随机存取存储器(DRAM)或其它易失性存储器)的写入操作通常被认为是完整或发布的。因此，对于使用期望持续性的SCM的应用，期望提供对持续存储器的写入操作的显式确认的高性能技术，其中高性能技术也与不同数据大小兼容以便最大化效率。

持续存储器操作有两种类型的常规方案。第一方案假设整个存储器系统(例如，包括一系列DRAM集成电路的双列直插式存储器模块(DIMM)，如此些技术中已知)为能量支持的。在此状况下，对DIMM的接收端上的中间缓冲区的写入操作可能足以满足持续性的期望。在一个实施方案中，一旦成功完成在请求写入操作的应用及DIMM之间的通道接口上的写入操作，即可认为写入操作为持续的。然而，实施此些方案可能涉及使用例如超级电容器或电池的能量存储装置，其在检测到电源故障时提供用于清除DIMM上的中间缓冲器的功率/电荷。但是，此些能量存储装置可能并非在所有DIMM上都可用，且进一步即使可用，其还以高成本获得。

在第二方案中，当应用等待来自DIMM的完成状态时，可将所有先前写入操作清除到持续存储器。然而，此方案可能导致显著性能成本。例如，在其中应用可能正在向DIMM请求精细粒度的持续写入但可能有其它并行但独立写入操作流式传输到DIMM的状况下，将所有先前的写入操清除到持续性存储器等待完成状态可能会不仅减慢持续写入请求但并行写入操作。

因此，此些技术中需要支持不同粒度或大小的持续写入的高性能及高效率持续写入操作，同时避免常规方法的上述缺点。

发明内容

本发明的示范性方面包含用于持续操作的系统及方法。存储器系统在从主机接收到持续写入命令及相关联写入数据时，基于持续写入命令执行将写入数据持续写入到存储器系统中的非易失性存储器。存储器系统也可从主机接收与持续写入命令相关联的写入标识(WID)，在成功完成持续写入时向主机提供持续写入完成指示连同相关联WID。

例如，示范性方面是针对一种执行持续操作的方法，所述方法包括在存储器系统处从主机接收持续写入命令己相关联写入数据，及基于持续写入命令执行将写入数据持续写入到存储器系统中的非易失性存储器。

另一示范性方面是针对一种执行持续操作的方法，所述方法包括从主机到存储器系统提供持续写入命令及相关联写入数据，其中持续写入命令指示存储器系统执行将写入数据持续写入到非易失性存储器。