[发明专利]电容器、包含电容器的集成组合件和形成集成组合件的方法

说明书

一些实施例包含电容器。所述电容器具有第一电极，所述第一电极具有下部柱状部分以及位于所述下部柱状部分上方的上部容器部分。所述下部柱状部分具有外表面。所述上部容器部分具有内表面和外表面。介电材料衬在所述上部容器部分的所述内表面和所述外表面上并且衬在所述下部柱状部分的所述外表面上。第二电极沿所述上部容器部分的所述内表面和所述外表面以及沿所述下部柱状部分的所述外表面延伸。所述第二电极通过所述介电材料与所述第一电极间隔开。一些实施例包含具有电容器的组合件(例如，存储器阵列)。一些实施例包含形成电容器的方法。

技术领域

电容器、包含电容器的集成组合件和形成具有电容器的集成组合件的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统并且用于电子系统中以存储数据。集成存储器通常被制造成单独存储器格的一或多个阵列。存储器格被配置成将存储器以至少两种不同的可选择状态保留或存储。在二进制系统中，状态被认为是“0”或“1”。在其它系统中，至少一些单独存储器格可以被配置成存储两个以上水平或状态的信息。

示例存储器是动态随机存取存储器(DRAM)。DRAM单元格可以各自包括与晶体管结合的电容器。存储于DRAM单元格的电容器上的电荷可以对应于存储位。

期望开发适合于在DRAM和/或其它集成电路系统中使用的改进的电容器。

附图说明

图1是示例电容器配置的图解性横截面视图。

图1A和1B分别是沿图1的线A-A和B-B的横截面视图。

图2是具有相邻的一对示例电容器配置的示例组合件的图解横截面视图。

图3-15是用于形成图2的示例组合件的示例方法的处于示例过程阶段的示例构造的图解性横截面视图。图15的构造与图2的组合件相同。

图14A是沿图14的线A-A的横截面视图。

图16是示例存储器阵列的区域的示意图。

具体实施方式

一些实施例包含电容器，其中第一电极(存储节点)包含位于下部柱状部分上方的上部容器部分。介电材料沿容器部分的内侧壁和外侧壁，并且沿柱状部分的外侧壁。第二电极(板电极)也沿容器部分的内侧壁和外侧壁，并且沿柱状部分的外侧壁，并且通过介电材料与第一电极间隔开。

一些实施例包含认识到，由于沿容器型电容器的相对于柱状型电容器的存储节点的存储节点的表面积增加，容器型电容器可以有益地提供与类似尺寸的柱状型电容器相比更高的电容。还认识到，由于由柱状形存储节点提供的刚性柱状型电容器与容器型电容器相比可以有益地在结构上更稳定。另外，认识到，由于与容器型电容器的制造相关的困难，可以存在跨容器型电容器的阵列的如与柱状型电容器相比更宽的电容扩散。

一些实施例包含具有存储节点的新的电容器配置，所述存储节点将容器型结构与柱状型结构组合。如此在减少(或甚至消除)与容器型配置和柱状型配置中的任一个配置或两个配置相关联的缺点的同时，可以实现与待实现的容器型配置相关联的益处连同与柱状型配置相关联的益处。在一些实施例中，电容器存储节点的下部部分具有柱状型配置，并且电容器存储节点的上部部分具有容器型配置。参照图1-16描述示例实施例。

参照图1、1A和1B，展示了示例组合件10的区域，此区域包括示例电容器12。

电容器12包含第一电极14、第二电极16和位于第一电极与第二电极之间的介电材料18。

第一电极14包含下部柱状部分20和位于所述下部柱状部分上方的上部容器部分22。导电衬垫24具有位于第一电极16的下部柱状部分20内的下部部分，并且具有位于第一电极16的上部容器部分22内的上部部分。

下部支柱部分20也包含被导电衬垫24侧向包围的导电填充材料26。