[发明专利]膜状烧成材料及带支撑片的膜状烧成材料有效
| 申请号： | 201880059086.1 | 申请日： | 2018-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN111066137B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 市川功;中山秀一;佐藤明德 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/52;H01L21/304;B32B15/02;B32B15/08;B32B27/14;B32B33/00;C09J7/20;C09J11/04;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧成 材料 支撑 | ||
1.一种膜状烧成材料，其含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分，其中，
烧结性金属颗粒的含量为15～98质量％，粘结剂成分的含量为2～50质量％，
所述膜状烧成材料在60℃下的拉伸弹性模量为4.0～10.0MPa，在60℃下的断裂伸长率为500％以上。
2.根据权利要求1所述的膜状烧成材料，其在23℃下的拉伸弹性模量为5.0～20.0MPa，在23℃下的断裂伸长率为300％以上。
3.根据权利要求1或2所述的膜状烧成材料，其中，构成烧成前的膜状烧成材料的成分中除金属颗粒以外的成分的玻璃化转变温度为30～70℃。
4.一种带支撑片的膜状烧成材料，其具备权利要求1～3中任一项所述的膜状烧成材料与设置在所述膜状烧成材料的至少一侧的支撑片。
5.一种带支撑片的膜状烧成材料，其具备含有烧结性金属颗粒及粘结剂成分的膜状烧成材料与设置在所述膜状烧成材料的至少一侧的支撑片，其中，
所述膜状烧成材料对支撑片的粘着力(a2)小于所述膜状烧成材料对半导体晶圆的粘着力(a1)，且所述粘着力(a1)为0.1N/25mm以上，所述粘着力(a2)为0.1N/25mm以上0.5N/25mm以下。
6.根据权利要求4所述的带支撑片的膜状烧成材料，其中，
所述膜状烧成材料中的烧结性金属颗粒的含量为15～98质量％，粘结剂成分的含量为2～50质量％，所述膜状烧成材料在60℃下的拉伸弹性模量为4.0～10.0MPa，在60℃下的断裂伸长率为500％以上。
7.根据权利要求4～6中任一项所述的带支撑片的膜状烧成材料，其中，
所述支撑片为在基材膜上设置有粘着剂层的支撑片，
在所述粘着剂层上设置有所述膜状烧成材料。
8.一种半导体装置的制造方法，其使用了权利要求4～7中任一项所述的带支撑片的膜状烧成材料，其中，所述方法依次进行以下的工序(1)～(4)：
工序(1)：将所述带支撑片的膜状烧成材料贴附在半导体晶圆上而得到依次层叠有支撑片、膜状烧成材料及半导体晶圆的层叠体，并对该层叠体的半导体晶圆与膜状烧成材料进行切割的工序；
工序(2)：对所述经切割的膜状烧成材料与支撑片进行剥离，得到带膜状烧成材料的芯片的工序；
工序(3)：在基板的表面上贴附所述带膜状烧成材料的芯片的工序；
工序(4)：对所述带膜状烧成材料的芯片的膜状烧成材料进行烧成，将所述带膜状烧成材料的芯片与基板接合的工序。
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