[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理室，其对基板进行加热；

冷却室，其冷却由所述处理室加热的基板；以及

基板输送部，其输送所述基板，

利用所述基板输送部搬入所述处理室的所述基板的个数比搬入所述冷却室的所述基板的个数多。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板输送部具有：对高温的基板进行输送的至少一个高温用基板输送部；以及对低温的基板进行输送的至少一个低温用基板输送部，

在向所述处理室搬入所述低温的基板的情况下，利用所述高温用基板输送部和所述低温用基板输送部将所述低温的基板搬入所述处理室，

在向所述冷却室搬入所述高温的基板的情况下，利用所述高温用基板输送部将所述高温的基板搬入所述冷却室。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

至少设置有两个所述处理室，

具备以下结构：所述冷却室设置在所述处理室之间，所述冷却室冷却由所述处理室加热的所述基板的个数的至少两倍的所述基板。

4.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理室，其对基板进行加热；以及

基板输送部，其向所述处理室输送所述基板，

利用所述基板输送部搬入所述处理室的所述基板的个数比从所述处理室搬出的所述基板的个数多。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板输送部具有：对高温的基板进行输送的至少一个高温用基板输送部；以及对低温的基板进行输送的至少一个低温用基板输送部，

在向所述处理室搬入所述低温的基板的情况下，利用所述高温用基板输送部和所述低温用基板输送部将所述低温的基板搬入所述处理室，

在从所述处理室搬出所述高温的基板的情况下，利用所述高温用基板输送部将所述高温的基板从所述处理室搬出。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

具有冷却室，该冷却室冷却由所述处理室加热的所述基板，

利用所述基板输送部搬出的由所述冷却室冷却的所述基板的个数比向所述冷却室搬入的由所述处理室处理的所述基板的个数多。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述基板输送部具有：对高温的基板进行输送的至少一个高温用基板输送部；以及对低温的基板进行输送的至少一个低温用基板输送部，

在将由所述处理室处理的所述高温的基板向所述冷却室搬入的情况下，利用所述高温用基板输送部搬入所述高温的基板，

在将由所述冷却室冷却的所述低温的基板从所述冷却室搬出的情况下，利用所述高温用基板输送部和所述低温用基板输送部将所述低温的基板从所述处理室搬出。

8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

设置有至少两个所述处理室，

具备以下结构：所述冷却室设置在所述处理室之间，所述冷却室冷却由所述处理室加热的基板的个数的至少两倍的基板。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

向处理室搬入基板的工序；

在所述处理室中对所述基板进行加热的工序；

将由所述处理室加热的所述基板向冷却室搬入的工序；以及

使进行了所述加热的所述基板在所述冷却室中冷却的工序，

通过向所述处理室搬入所述基板的工序而搬入的所述基板的个数比通过将由所述处理室加热的所述基板向所述冷却室搬入的工序而搬入的所述基板的个数多。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具有将进行了所述冷却的基板从所述冷却室搬出的工序，

通过将进行了所述冷却的基板从所述冷却室搬出的工序而搬出的所述基板的个数比通过将进行了所述加热的基板向所述冷却室搬入的工序而搬入的所述基板的个数多。