[发明专利]描绘数据生成方法、多带电粒子束描绘装置、图案检查装置、以及计算机可读取的记录介质有效
申请号: | 201880059474.X | 申请日: | 2018-08-03 |
公开(公告)号: | CN111095485B | 公开(公告)日: | 2023-10-20 |
发明(设计)人: | 安井健一;中山田宪昭 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;H01J37/305 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 描绘 数据 生成 方法 带电 粒子束 装置 图案 检查 以及 计算机 读取 记录 介质 | ||
根据具有曲线的图形所包含的设计数据来生成能够抑制数据量以及多带电粒子束描绘装置内的计算量的描绘数据。本实施方式涉及生成在多带电粒子束描绘装置中使用的描绘数据的方法。在该方法中,算出表现设计数据所包含的图形的曲线部的曲线、且是分别由多个控制点定义的一对曲线,将上述多个控制点中的与第1控制点在上述曲线的行进方向上相邻的第2控制点的位置用从上述第1控制点起的上述曲线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,从而生成上述描绘数据。
技术领域
本发明涉及描绘数据生成方法、多带电粒子束描绘装置、图案检查装置、以及计算机可读取的记录介质。
背景技术
伴随着LSI的高集成化,半导体器件所要求的电路线宽逐年微细化。为了在半导体器件形成所期望的电路图案,采用使用缩小投影式曝光装置将在石英上形成的高精度的原画图案(掩模、或者尤其是在步进式曝光装置或扫描式曝光装置中使用的原画图案也被称为中间掩模)缩小转印至晶片上的方法。高精度的原画图案由电子束描绘装置描绘,使用所谓的电子束曝光技术。
作为电子束描绘装置,例如公知有使用多粒子束一次照射多个粒子束,提高了通量的多粒子束描绘装置。在该多粒子束描绘装置中,例如从电子枪射出的电子束通过具有多个孔的光阑部件由此形成多粒子束,各粒子束在消隐板中被实施消隐控制。未被遮蔽的粒子束由光学系统缩小,并照射至作为描绘对象的掩模上的所期望的位置。
在使用多粒子束描绘装置进行电子束描绘的情况下,首先,设计半导体集成电路的布局,作为布局数据而生成设计数据。进而,将该设计数据所包含的多边形图形分割为多个梯形,由此来生成输入至多粒子束描绘装置的描绘数据。该描绘数据针对各梯形将1个顶点设为配置原点,具有该配置原点的坐标数据和表示从配置原点到其他的3个顶点为止的位移的数据。
当设计数据中包含椭圆形图形那样的具有曲线的图形的情况下,将该图形近似为多边形而制作描绘数据。若高精度地进行近似,则存在顶点数或图形数增加、描绘数据的数据量变得庞大的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-188000号公报
专利文献2:日本特开平6-215152号公报
专利文献3:日本特开平5-175107号公报
专利文献4:日本特开平5-267132号公报
专利文献5:日本特开平4-184392号公报
发明内容
本发明的课题在于提供一种根据具有曲线的图形所包含的设计数据来生成能够抑制数据量以及多带电粒子束描绘装置内的计算量的描绘数据的描绘数据生成方法、多带电粒子束描绘装置、以及计算机可读取的记录介质。并且,本发明的课题在于提供一种能够生成抑制了数据量的描绘数据、提高处理效率的图案检查装置。
本发明的一个方式所涉及的描绘数据生成方法是生成在多带电粒子束描绘装置中使用的描绘数据的描绘数据生成方法,其中,算出表现设计数据所包含的图形的曲线部的曲线、且是分别由多个控制点定义的一对曲线,将上述多个控制点中的与第1控制点在上述曲线的行进方向上相邻的第2控制点的位置用从上述第1控制点起的上述曲线的行进方向的位移以及与该行进方向正交的方向的位移表现,从而生成上述描绘数据。
发明效果
根据本发明,能够根据具有曲线的图形所包含的设计数据来生成能够抑制数据量以及多带电粒子束描绘装置内的计算量的描绘数据。
附图说明
图1是本发明的实施方式所涉及的多带电粒子束描绘装置的简图。
图2是示出曲线表现的一例的图。
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