[发明专利]具有中间配线层的三维闪存器件及其制造方法

权利要求书

1.一种三维闪存器件，其特征在于，包括：

串接体，包括沟道层及多个电极层，上述沟道层沿着一方向延伸形成，上述多个电极层对于上述沟道层垂直层叠；

上部配线层，配置于上述串接体的上部；

至少一个中间配线层，在上述串接体的中间区域中，配置于上述多个电极层之间；以及

下部配线层，配置于上述串接体的下部，

将上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层分别适应性地用作漏极或源极中的一个，

其中，上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层分别沿着与上述多个电极层延伸形成的方向正交的方向延伸形成，

其中，上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层以上述延伸形成的长度互不相同的方式呈阶梯形状。

2.一种三维闪存器件，其特征在于，包括：

串接体，包括沟道层及多个电极层，上述沟道层沿着一方向延伸形成，上述多个电极层对于上述沟道层垂直层叠；

上部配线层，配置于上述串接体的上部；

至少一个中间配线层，在上述串接体的中间区域中，配置于上述多个电极层之间；以及

下部配线层，配置于上述串接体的下部，

上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层分别沿着与上述多个电极层延伸形成的方向正交的方向延伸形成，

上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层以上述延伸形成的长度互不相同的方式呈阶梯形状。

3.根据权利要求2所述的三维闪存器件，其特征在于，将上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层分别适应性地用作漏极或源极中的一个。

4.根据权利要求1或3中任一项所述的三维闪存器件，其特征在于，上述上部配线层、上述至少一个中间配线层及上述下部配线层分别通过响应将隔着所要控制的存储单元的其他配线层用作上述漏极或上述源极中的一个，来适应性地用作上述漏极或上述源极中的除使用上述其他配线层的一个之外的剩余一个。

5.根据权利要求4所述的三维闪存器件，其特征在于，

在要控制位于上述上部配线层与上述至少一个中间配线层之间的存储单元的情况下，将上述上部配线层随机用作上述漏极或上述源极中的一个，将上述至少一个中间配线层用作上述漏极或上述源极中的除使用上述上部配线层的一个之外的剩余一个，

在要控制位于上述至少一个中间配线层与上述下部配线层之间的存储单元的情况下，将上述至少一个中间配线层随机用作上述漏极或上述源极中的一个，将上述下部配线层用作上述漏极或上述源极中的除使用上述至少一个中间配线层的一个之外的剩余一个。

6.根据权利要求1或2中任一项所述的三维闪存器件，其特征在于，上述上部配线层及上述至少一个中间配线层以分别与上述多个电极层聚合的至少两个块相对应的方式设置。

7.根据权利要求1或2中任一项所述的三维闪存器件，其特征在于，上述沟道层的至少一部分被上述至少一个中间配线层贯通。

8.根据权利要求1或2中任一项所述的三维闪存器件，其特征在于，以N+型或N-型中的至少一种对上述至少一个中间配线层的上部面或下部面、上述上部配线层的下部面或上述下部配线层的上部面中的至少一面进行掺杂。

9.根据权利要求1或2中任一项所述的三维闪存器件，其特征在于，在上述三维闪存器件包括多个串接体的情况下，上述多个串接体通过基板相连接。

10.根据权利要求9所述的三维闪存器件，其特征在于，在上述三维闪存器件包括多个串接体的情况下，多个上述下部配线层通过上述多个串接体共享并共同使用。

11.根据权利要求1或2中任一项所述的三维闪存器件，其特征在于，上述下部配线层由基板实现，上述基板包括以N+型掺杂于P型的基板底座上的接触器。