[发明专利]具有高电流容量的馈线设计

权利要求书

1.一种由SiC半导体材料形成的结构，所述结构包括衬底(1)、漂移层(2)、由n型SiC材料(3)形成的至少两个p型栅格(4，5)，其中所述结构包括n型外延生长的SiC层(8)，其中所述外延生长的n型层(8)与所述至少两个p型栅格(4，5)和所述n型SiC材料(3)接触，其中所述n型外延生长层(8)与至少一个外延生长的p型区域(7)接触，其中欧姆触点(9)与所述至少一个外延生长的p型区域(7)接触，其中所述至少一个外延生长的p型区域(7)在与n型的所述衬底(1)平行的平面中的投影具有限界所述至少一个外延生长的p型区域(7)的投影的边界线(l)，其特征在于，至少施加所述p型栅格(5)，使得所述p型栅格(5)在平行于n型的所述衬底(1)的平面中的投影位于所述边界线(l)的周围，使得从所述边界线(l)到该周围的任何点的距离最大为0.5μm，并且其中所述p型栅格(5)还仅仅施加成使得从所述至少一个外延生长的p型区域(7)的下部到所述p型栅格(5)的上部的距离在0-5μm的范围内，向上的方向由垂直远离n型的所述衬底(1)的方向给出。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述至少一个外延生长的p型区域(7)与所述至少两个p型栅格(4，5)中的至少一个接触。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述至少一个外延生长的p型区域(7)不与所述至少两个p型栅格(4，5)接触。

4.根据权利要求1-3中的任一项所述的结构，其中，所述至少两个p型栅格(4，5)各自包括多个离子注入栅格。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的结构，其中，所述至少一个外延生长的p型区域(7)的宽度在5-500μm的范围内。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的结构，其中，所述至少一个外延生长的p型区域(7)的厚度在1-3μm的范围内。

7.根据权利要求1-6中的任一项所述的结构，其中，从最靠近所述n型SiC材料(3)的位置到最接近所述欧姆触点(9)的位置，所述至少一个外延生长的p型区域(7)的掺杂浓度变化。

8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述至少一个外延生长的p型区域(7)的掺杂浓度在最靠近所述欧姆触点(9)处最高。

9.根据权利要求8所述的结构，其中，所述至少一个外延生长的p型区域(7)的掺杂浓度在5e17cm^-3至1e19cm^-3的区间内，最靠近所述欧姆触点(9)的那一层除外，在该层中掺杂浓度在1e19cm^-3至3e20cm^-3的区间内。

10.根据权利要求1至9中的任一项所述的结构，其中，作为重心算出的所述至少一个外延生长的p型区域(7)的中心与n型SiC材料(3)的下述区域的中心对准：该区域介于没有任何栅格的第一区域和第二区域之间。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的结构，其中，在所述n型SiC材料(3)中，在所述至少一个外延生长的p型区域(7)和所述至少两个p型栅格(4，5)之间存在间隔，任选地在所述至少一个外延生长的p型区域(7)与所述至少两个p型栅格(4，5)之间具有连接。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的结构，其中，所述至少一个外延生长的p型区域(7)被直接施加在n型SiC材料(3)中的所述至少两个p型栅格(4，5)上。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的结构，其中，存在至少四个p型栅格(4，5)，并且其中分别最靠近至少第一和第二拐角的至少两个p型栅格(5)大于其余的p型栅格(4)。