[发明专利]处理靶材料的方法在审
| 申请号： | 201880059897.1 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN111095482A | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 杰拉德·奥康纳;纳扎尔·法里德;皮纳基·达斯古普塔 | 申请（专利权）人： | 爱尔兰国立高威大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/268 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 彭雪瑞;臧建明 |
| 地址： | 爱尔兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 材料 方法 | ||
1.一种处理靶材料的方法，包括：
用辐射束照射多层结构，所述多层结构至少包括包含所述靶材料的靶层和不包含所述靶材料的附加层，其中：
所述附加层是金属的；
在所述多层结构的照射过程中，通过所述附加层照射所述靶层；并且
能量从所述辐射束到所述靶层以及到所述附加层的转移使得在所述靶层中引起热诱导变化，所述热诱导变化包括以下一种或多种：所述靶材料中的晶体生长，所述靶材料中的载流子迁移率的增加，所述靶材料中的化学稳定性的增加以及所述靶材料中电性能的均匀性的增加。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，选择所述辐射束的能量密度，使得在所述辐射束的照射期间，所述靶层的任何部分都没有进入熔融相而实现所述热诱导变化。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，选择所述辐射束的能量密度，使得在所述辐射束的至少一部分照射期间，所述靶层的至少一部分进入熔融状态。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述附加层的厚度小于200nm。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述靶层中发生了热诱导变化之后，对所述多层结构的照射导致至少所述附加层被照射的部分与所述靶层分离。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述辐射束是脉冲激光束。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述辐射束的单个脉冲导致所述靶材料中的晶体生长。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其中，所述脉冲持续时间小于1ns。
9.根据权利要求6-8中任一项所述的方法，其中，所述脉冲激光束包括IR或可见辐射。
10.根据权利要求6-9中的任一项所述的方法，其中，将多个脉冲施加到要促进晶体生长的所述靶材料的每个区域，其中，在每个所述区域中，第一脉冲引起晶体生长，而后一个脉冲引起晶体进一步生长。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述靶材料包括非晶硅。
12.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述靶材料包括透明导电材料。
13.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述靶材料包括铟镓锌氧化物。
14.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述靶材料包括电介质材料。
15.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，其中，所述靶材料包括金属或金属氧化物。
16.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述附加层包括钼或钨。
17.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述靶材料包括非晶硅，所述附加层包括钼或钨，并且由所述辐射束的单个脉冲提供的能量密度在50-125mJcm-2的范围内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
