[发明专利]具有增强的抗等离子体特性的粘结材料及相关的方法

权利要求书

1.用于半导体部件的粘结片材，所述粘结片材包括：

被配置为附接至第一半导体部件的第一面；

被配置为附接至第二半导体部件的第二面；

设置在所述粘结片材的第一区域中的抗刻蚀材料；

设置在所述粘结片材的第二区域中的粘结材料；以及

嵌入在所述第二区域中的所述粘结材料内的多个热传导元件，

其中单独的第一区域与单独的第二区域不同并且位于单独的第二区域附近；以及

其中所述粘结片材具有：

小于200微米的厚度，

在所述粘结片材的整个长度上的小于20微米的平整度，以及

小于20％的伸长率规格。

2.根据权利要求1所述的粘结片材，其中所述热传导元件被配置为当暴露于等离子体处理时分解为气体。

3.根据权利要求1所述的粘结片材，其中：

所述粘结材料包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)和含氟弹性体(FKM)中的至少一种，

所述抗刻蚀材料包括聚醚醚酮(PEEK)，以及

所述热传导元件包括有机填料，该有机填料被配置为当暴露于等离子体处理时分解为气体。

4.根据权利要求1所述的粘结片材，还包括：

小于0.3W/m·K的热传导率，以及

热均匀性，使得在-60℃至180℃的温度范围内，所述粘结片材的整个表面上的温差等于或小于2℃。

5.根据权利要求1所述的粘结片材，其中所述粘结材料包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)。

6.根据权利要求1所述的粘结片材，其中所述粘结材料包括含氟弹性体(FKM)。

7.根据权利要求1所述的粘结片材，其中所述第一区域对应于所述粘结片材中填充有所述抗刻蚀材料的开口，其中至少一部分所述开口的直径彼此不同，并且其中至少一部分所述开口被配置为定位成与所述第一半导体部件上的多个特征，所述第二半导体部件上的多个特征，或这两者均对齐。

8.根据权利要求1所述的粘结片材，其中所述热传导元件包括悬在所述粘结材料中的颗粒，所述颗粒包括二氧化硅颗粒和氮化硼(BN)中的至少一种。

9.根据权利要求8所述的粘结片材，其中所述热传导元件包括所述粘结片材的所述粘结材料的至少20％。

10.根据权利要求1所述的粘结片材，其中所述抗刻蚀材料包括聚醚醚酮(PEEK)。

11.根据权利要求10所述的粘结片材，其中所述抗刻蚀材料包括抗等离子体涂层，该抗等离子体涂层包括氧化钇(Y₂O₃)，氟化钇(YF₃)，和氟氧化钇(YOF)中的至少一种。

12.根据权利要求1所述的粘结片材，其中所述第一区域和第二区域中的每一个自所述第一面至所述第二面延伸穿过整个粘结片材，并且其中，所述粘结片材的最外表面在所述抗刻蚀材料和所述粘结材料之间交替。

13.根据权利要求1所述的粘结片材，还包括所述粘结材料中的被配置为抑制所述粘结材料聚合或交联的一种或多种粘合促进剂。

14.一种用于将一个或多个半导体部件彼此附接的装置，所述装置包括：

粘结片材，包括：

被配置为附接至第一半导体部件的第一面，

与所述第一面相对并被配置为附接至第二半导体部件的第二面，

基本上横跨所述粘结片材厚度的粘结材料，其中所述粘结材料包括全氟弹性体(FFKM)；

设置在自所述第一面至所述第二面延伸穿过所述粘结片材的开口中的抗刻蚀材料；以及

嵌入所述粘结材料中的多个热传导元件，所述热传导元件被配置为当暴露于等离子体处理时分解为气体。