[发明专利]半导体装置

说明书

本发明揭示一种半导体装置，其具有半导体裸片、再分布层RDL及囊封剂。所述RDL层可形成于所述半导体裸片的第一表面上。所述囊封剂可围封所述半导体裸片的第二表面及侧表面。所述囊封剂可围封所述RDL的侧部。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置及方法。

背景技术

集成电路(IC)可为半导体材料(例如，硅)的一个小平片(“芯片”)上的一组电子电路。IC可包含集成到小芯片中的较大数目个微型晶体管，从而获得可比由离散电子组件构成的电路小且快的电路。与在从晶片切割个别单元之后将其组装于封装中的工艺相比，可在晶片级封装IC。在IC最终形式中，IC可为具有按与电路板组装工艺兼容的输入/输出(I/O)间距附接的凸块或焊球的阵列图案的裸片。

半导体裸片组合件可包含多个存储器裸片，且与多个存储器裸片相关联的衬底可为有机或无机衬底。半导体裸片组合件可用于各种电子应用中，例如个人计算机、蜂窝式电话、数码相机及其它半导体装置。半导体装置可包含经由多个导电结构(例如，金属、导线、导电线、焊料凸块等)耦合到衬底的至少一个半导体裸片。多个导电结构可在帮助半导体裸片连接到衬底的再分布层内。再分布层可暴露到来自半导体装置外部的条件，这可在组装过程期间及/或使用期间导致界面脱层、引起破裂的机械应力、水分影响及其它问题。半导体裸片可包含功能构件，例如存储器单元、处理器电路、成像器组件及互连电路。

附图说明

图1A是根据本发明的数个实施例的半导体装置的实例。

图1B是根据本发明的数个实施例的半导体装置的部分的实例。

图2A是根据本发明的数个实施例的半导体装置的实例。

图2B是根据本发明的数个实施例的半导体装置的部分的实例。

图3A到3H是根据本发明的数个实施例的形成半导体装置的方法的实例。

图4A到4H是根据本发明的数个实施例的形成半导体装置的方法的实例。

具体实施方式

一种半导体装置可包含半导体裸片、再分布层(RDL)及囊封剂。RDL层可形成于半导体裸片的第一表面上且围封所述第一表面。囊封剂可围封半导体裸片的第二表面及侧表面。囊封剂可围封RDL的侧部。

一种用于形成半导体装置的工艺可导致附接到再分布层(RDL)的裸片。在至少一个实施例中，RDL可为可直接制造于半导体裸片上或建置于载体上的组合层。接着，可将RDL转移到裸片而非使用预形成衬底。裸片可围封于包围裸片的囊封剂(例如，有机材料层、环氧树脂模塑料(EMC)等)中。数个互连结构(例如，互连结构、铜柱凸块、金凸块等)及/或额外连接组件可耦合到RDL且用于将半导体装置电连接到数个其它半导体装置及/或半导体装置的其它组件。互连结构可用于将裸片上的电路连接到封装芯片上的引脚。互连结构可为电镀结构。例如，可使用铜、镍、锡银、银、废金属或另一金属(包含所列金属的合金)的电解沉积形成涂层以形成互连结构及/或柱凸块。

在一些先前做法中，RDL的边缘可暴露(例如，未围封于囊封剂内)到来自半导体装置外部的条件，这可在组装过程期间及/或使用期间导致界面脱层、引起破裂的机械应力及水分影响及其它问题。如下文进一步描述，在至少一个实施例中，RDL的边缘可围封于囊封剂(例如，有机材料层、EMC)层内。通过将RDL层的边缘围封于囊封剂(例如，有机材料层、EMC层)内，RDL可受到保护以防形成过程期间及/或使用期间的各种不利条件。

在至少一个实施例中，可在耦合到RDL层的数个互连结构(例如，焊球)之间形成囊封剂。例如，第一互连结构与第二互连结构之间的囊封剂可沿着第一互连结构及第二互连结构中的每一者的互连结构的至少部分且沿着RDL在其之间的空间中形成。互连结构之间的囊封剂可保护互连结构的接头以防故障(例如，在半导体装置的测试期间)。