[发明专利]在MEMS力传感器中的应变传递堆叠有效
| 申请号： | 201880060153.1 | 申请日： | 2018-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN111448446B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | J·M·蔡;D·本杰明 | 申请（专利权）人： | 触控解决方案股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/16 | 分类号： | G01L1/16;G01L1/18;H01L41/053;H01L41/083 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 传感器 中的 应变 传递 堆叠 | ||
1.一种微机电MEMS力传感器，所述MEMS力传感器包括：
传感器管芯，所述传感器管芯被配置成接收所施加的力，其中，所述传感器管芯包括顶侧和与所述顶侧相对的底侧，
布置在所述传感器管芯上的至少一个应变感测元件，其中，所述至少一个应变感测元件被配置成将应变转换成与所述应变成比例的模拟电信号，
应变传递层，所述应变传递层布置在所述传感器管芯的所述顶侧上，其中所述应变传递层完全在所述传感器管芯的顶侧上方延伸并且包裹在所述传感器管芯的边缘周围，并且其中所述应变传递层被配置成将所述应变传递到所述传感器管芯，以及
至少一个机械锚，所述至少一个机械锚布置在所述传感器管芯的所述底侧上。
2.根据权利要求1所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个机械锚被配置成直接附接到外表面。
3.根据权利要求1或2所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个应变感测元件至少部分地与所述至少一个机械锚重叠。
4.根据权利要求1或2所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个机械锚和所述至少一个应变感测元件电耦合。
5.根据权利要求1或2所述的MEMS力传感器，其中，所述应变传递层由比硅更柔软的材料形成。
6.根据权利要求1或2所述的MEMS力传感器，其中，所述应变传递层由比硅更坚硬的材料形成。
7.根据权利要求1或2所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个应变感测元件由压阻材料形成。
8.根据权利要求1或2所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个应变感测元件由压电材料形成。
9.一种微机电MEMS力传感器，所述MEMS力传感器包括：
传感器管芯，所述传感器管芯被配置成接收所施加的力，其中，所述传感器管芯包括顶侧和与所述顶侧相对的底侧，
布置在所述传感器管芯上的至少一个应变感测元件，其中，所述至少一个应变感测元件被配置成将应变转换成与所述应变成比例的模拟电信号，
应变传递层，所述应变传递层设置在所述传感器管芯的所述底侧上，其中所述应变传递层被配置成将所述应变传递到所述传感器管芯，以及
设置在所述传感器管芯的所述顶侧上的保护层，其中所述保护层完全在所述传感器管芯的顶侧上方延伸并且包裹在所述传感器管芯的边缘周围。
10.根据权利要求9所述的MEMS力传感器，所述MEMS力传感器还包括布置在所述应变传递层上的电连接器，其中所述至少一个应变感测元件和所述电连接器电耦合。
11.根据权利要求9或10所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个应变感测元件由压阻材料形成。
12.根据权利要求9或10所述的MEMS力传感器，其中，所述至少一个应变感测元件由压电材料形成。
13.根据权利要求9或10所述的MEMS力传感器，所述MEMS力传感器还包括结合线，其中，所述保护层覆盖并且保护所述结合线。
14.根据权利要求9或10所述的MEMS力传感器，其中，所述应变传递层由比硅更柔软的材料形成。
15.根据权利要求9或10所述的MEMS力传感器，其中，所述应变传递层由比硅更坚硬的材料形成。
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