[发明专利]用于使用共享地址路径来维持存储体刷新操作的系统和方法

说明书

本发明揭示一种存储器装置(10)，其包含各自具有带有行地址的多个行的存储体(11)。所述存储器装置(10)还包含计数器(52、54)，所述计数器(52、54)当所述存储器装置(10)正以第一模式操作时，响应于第一刷新操作而存储第一组存储体(12、13)的第一行的第一行地址并将其递增到所述第一组存储体(12、13)的第二行的第二行地址。所述存储器装置(10)进一步包含电路系统(270)，所述电路系统(270)当所述存储器装置(10)从所述第一模式转变到第二模式且所述第一刷新操作未与当所述存储器装置(10)正以所述第一模式操作时执行的第二刷新操作成对时，阻止将所述第二行地址递增到所述第一组存储体(12、13)的第三行的第三行地址。

技术领域

本发明的实施例大体上涉及半导体装置领域。更具体地，本发明的实施例涉及使用共享地址路径来维持存储体的刷新操作，其中可以刷新第一存储体，同时可以使用共享地址路径来存取第二存储体。

背景技术

例如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储器装置可以通过周期性地从存储器单元读取信息并将所读取信息重写到存储器单元以保存信息来刷新存储器单元。例如，存储器中的存储器数据的每一位可被存储为在存储器上的电容器上存在或不存在电荷。随着时间流逝，电荷可能会泄漏并最终丢失，除非刷新数据。如此，外部电路系统可以周期性地读取每一存储器单元并将数据重写到所述存储器单元，从而将电容器上的电荷恢复到其原始电平。存储器刷新周期可以一次刷新一组或一区存储器单元(例如存储体)，且每一连续周期可以刷新下一组或一区存储器单元，因此刷新存储器中的所有存储器单元。此刷新过程可以由存储器装置的控制器和/或由用户周期性地进行以将数据保持在存储器单元中。

存储器可以包含存储器单元的多个存储体。如果正在刷新存储体，那么可能无法存取所述存储体(例如，用于读取和/或写入操作)。一些DRAM，例如DDR5 SDRAM(双倍数据速率类型的五个同步动态随机存取存储器)，可能仅刷新一些存储体，同时实现对其它存储体的操作。

可以通过在到待刷新或存取的存储器电路系统的单个地址路径上提供行地址来执行刷新或存取存储体。可以将待刷新的行地址存储并维持在计数器中(例如，在存储器中)，所述计数器可以在每次将行地址发射到寄存器之后递增。可以经由外部装置(例如，外部控制器)以及例如激活命令来提供待存取的行地址。在任一状况下，均可以发射行地址并将其存储在存储器的寄存器中，且命令地址输入电路或命令解码器可以发射命令以刷新或存取存储体。然后，耦合到存储体的存储体控制块可以基于存储在寄存器中的行地址而执行刷新或存取操作。

可以经由多种模式来执行刷新。例如，存储器装置可以自动刷新模式操作，其中所述存储器装置经指示在外部刷新(例如，通过外部控制器)。自动刷新模式可以包含FGR(精细粒度刷新)1x和2x模式。在FGR 2x模式中，单个刷新命令可以对存储体的一或多个行执行刷新操作。在FGR 1x模式中，单个刷新命令可以对存储体的两组行执行两次刷新操作。另外，存储器装置可以自刷新模式操作，其中所述存储器装置经指示内部刷新。在自刷新模式中，存储器装置的操作类似于在以FGR 1x模式操作时操作。

命令地址输入电路或命令解码器可以发射第一命令，所述第一命令对一或多个存储体的的行(例如，对应于存储在寄存器中的行地址)执行刷新操作。在某些情况下，在转变到另一模式之前会发生多次(例如，2的倍数次)刷新操作可能为一个规则(例如，按照半导体或存储器装置制造商的规范)。例如，制造商可以指定以FGR 2x模式操作的存储器装置在转变到另一模式(例如，FGR 1x模式或自刷新模式)之前执行2的倍数次刷新操作。如果违反了此规范(例如，通过在转变到另一模式之前执行奇数次刷新操作)，那么可能不会刷新行，这可能导致存储器泄漏和/或数据丢失。

本发明的实施例可以针对上文所陈述的问题中的一或多种。

附图说明

图1为说明根据本发明的实施例的存储器装置的某些特征的简化框图；

图2为根据本发明的实施例的图1的存储器装置的命令地址输入电路的行地址输出电路的示意图；