[发明专利]发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造发光二极管LED装置的方法，所述方法包括：

在衬底上形成所述LED；

形成围绕所述LED的至少一个侧表面的防漏光层；

蚀刻所述衬底中与所述LED相对应的部分；以及

在蚀刻的部分中将波长转换材料结合到所述LED，

其中所述波长转换材料包括波长转换半导体层和反射层，

其中所述波长转换半导体层包括量子阱层，用于将从所述LED发射的光转换为经波长转换后的光，

其中所述反射层围绕所述波长转换半导体层的至少一个侧表面，以反射所述波长转换半导体层的所述至少一个侧表面处的经波长转换后的光，并且

其中所述反射层延伸到所述波长转换半导体层的面朝所述LED的表面的一部分上，以反射所述波长转换半导体层的面朝所述LED的所述表面的所述部分处的经波长转换后的光。

2.根据权利要求1所述的制造方法，还包括产生所述波长转换材料，

其中产生所述波长转换材料包括：

通过化学气相沉积CVD工艺在另一衬底上形成上分布式布拉格反射器DBR涂层；

通过所述CVD工艺在所述上DBR涂层上形成波长转换半导体层；

通过所述CVD工艺在所述波长转换半导体层上形成下DBR涂层；以及

蚀刻所述另一衬底中的在所述LED的位置之外的区域，以及

其中，所述结合包括：将所述波长转换材料结合到所述LED的下部。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述上DBR涂层、所述波长转换半导体层和所述下DBR涂层被形成为具有与所述LED的尺寸相对应的尺寸。

4.根据权利要求2所述的制造方法，还包括：在将所述波长转换材料结合到所述LED的所述下部之后，去除所述另一衬底。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述反射层形成为还从所述波长转换半导体层的所述至少一个侧表面延伸预定长度到所述下DBR涂层的下部。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中：

所述防漏光层防止从所述LED发射出的光通过所述LED的所述至少一个侧表面散射，

所述波长转换半导体层将来自所述LED的光的第一波长转换为预定的第二波长，并且通过扩散材料将所述第二波长的光扩散并发射到外部，

所述下DBR涂层使从所述LED发射出的所述第一波长的光通过，而反射所述第二波长的光，

所述上DBR涂层使所述第二波长的光通过，而反射除所述第二波长之外的波长的光，以及

所述反射层反射通过所述波长转换半导体层的所述至少一个侧表面和下表面发射出的光。

7.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述结合包括：在所述LED的下表面和所述下DBR涂层的下表面中的至少一个上形成光学粘合剂层，所述光学粘合剂层将所述波长转换材料结合到所述LED的所述下部。

8.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述波长转换材料是以下项中的一项：与红色R相对应的第一波长转换层；与绿色G相对应的第二波长转换层；与蓝色B相对应的第三波长转换层；以及与白色W相对应的第四波长转换层。

9.根据权利要求1所述的制造方法，还包括在所述LED下方形成多个焊盘，所述多个焊盘从外部电源接收电力。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述波长转换材料是II-VI族半导体材料。