[发明专利]晶片级测序流通池制造

权利要求书

1.一种用于形成测序流通池的方法，其包括：

提供覆盖有介电层的半导体晶片；

在所述介电层上形成图案化层，所述图案化层具有差异表面区域，所述差异表面区域包括第一表面区域和第二表面区域；

将所述盖晶片附着于所述半导体晶片以形成复合晶片结构，所述复合晶片结构包括多个测序流通池，其中每个测序流通池包括：

在所述图案化层与所述盖晶片之间的流动通道；

在所述图案化层中的一或多个第一表面区域；

在所述图案化层中的一或多个第二表面区域；以及

耦合至所述流动通道的入口和出口；并且

切割所述复合晶片结构以形成多个管芯，每个管芯包括测序流通池。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面区域为亲水性表面，而所述第二表面区域为疏水性表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一表面区域为疏水性表面，而所述第二表面区域为亲水性表面。

4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在附着所述盖晶片之前，于所述半导体晶片中形成多个通孔，所述多个通孔被配置用作所述流通池的入口和出口。

5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在将所述盖晶片附着于所述半导体晶片之前，在所述盖晶片中形成入口和出口。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片进一步包括位于所述介电层下方的CMOS层。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中形成图案化层包括：

在所述半导体晶片上的所述介电层上形成金属氧化物层；以及

将所述金属氧化物层图案化而成为多个金属氧化物区域，

其中所述金属氧化物区域是配置用来接收核酸大分子。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中形成图案化层包括：

形成金属氧化物层；

在所述金属氧化物层上形成氧化硅层；以及

图案化所述氧化硅层，

其中所述金属氧化物层未被所述氧化硅层所覆盖的区域被配置用来接收核酸大分子。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：在将所述盖晶片附着于所述半导体晶片之前，在所述半导体晶片上形成支撑结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括：使所述盖晶片与所述支撑结构接合。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述盖晶片包括玻璃晶片。

12.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：对所述测序流通池进行功能化，其中对所述测序流通池进行功能化包括：使所述流动通道暴露于经由所述入口和出口所提供的材料。

13.根据权利要求1所述的方法，其中切割所述复合晶片结构包括：使用晶片切割工艺将所述复合晶片结构分割成独立的管芯。