[发明专利]方解石通道纳米流控技术

权利要求书

1.一种在纳米流体器件中制造方解石通道的方法，所述方法包括：

在基板上涂覆光致抗蚀剂；

将光致抗蚀剂的一部分曝光于电子束，其中所述部分以通道图案曝光；

将所述光致抗蚀剂的曝光部分显影以形成所述通道图案；

使用方解石前体气体将方解石沉积在所述通道图案中，其中沉积的方解石包括至少一个具有在大约50至100纳米范围内的长度的侧面；和

移除在将所述光致抗蚀剂的曝光部分显影之后留下的光致抗蚀剂。

2.权利要求1所述的方法，其中所述基板包括硅。

3.权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂包括负性光致抗蚀剂。

4.权利要求3所述的方法，其中所述负性光致抗蚀剂包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)或SU-8。

5.权利要求1所述的方法，其中将所述光致抗蚀剂显影包括使用溶剂将所述光致抗蚀剂溶解并且使所述基板的一部分显露。

6.权利要求5所述的方法，其中所述溶剂包括丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)、乳酸乙酯或二丙酮醇。

7.权利要求1所述的方法，所述方法还包括将所述器件包装在外壳中，其中所述外壳包括：

包括窗口的顶部；

被配置成支撑所述器件的底部；

被配置成使流体能够进入所述器件的入口连接件；和

被配置成使所述流体能够离开所述器件的出口连接件。

8.权利要求7所述的方法，其中所述窗口包括导电且光学透明的材料。

9.权利要求8所述的方法，其中所述导电且透明的材料包括氮化硅(SiN)。

10.一种系统，所述系统包括：

纳米流体器件，其中所述器件包括：包括基板的底部和包括方解石通道结构的顶部，所述方解石通道结构包括至少一个具有在大约50至100纳米范围内的长度的侧面；

用于所述器件的外壳；和

用于提供电子束的电子源。

11.权利要求10所述的系统，其中所述基板包括硅。

12.权利要求10所述的系统，其中所述电子源是扫描电子显微镜(SEM)。

13.权利要求10所述的系统，其中所述外壳包括：

包括窗口的顶部；

被配置成支撑所述器件的底部；

被配置成使流体能够进入所述器件的入口连接件；和

被配置成使所述流体能够离开所述器件的出口连接件。

14.权利要求13所述的系统，其中所述窗口包括导电且光学透明的材料。

15.权利要求14所述的系统，其中所述导电且透明的材料包括氮化硅(SiN)。