[发明专利]III族氮化物单晶基板

权利要求书

1.一种氮化铝单晶基板，其特征在于，其为具有主面的氮化铝单晶基板，

所述主面具有：外侧区域，其距中心的距离相对于从中心至外缘部的距离大于30％；和内侧区域，其距中心的距离相对于从中心至外缘部的距离为30％以下，

所述内侧区域中的微拉曼光谱的峰波数的最低值ν_A与所述外侧区域中的微拉曼光谱的峰波数的平均值ν_B之差ν_A-ν_B相对于所述平均值ν_B的比率(ν_A-ν_B)/ν_B为±0.1％以内。

2.根据权利要求1所述的氮化铝单晶基板，其特征在于，所述比率(ν_A-ν_B)/ν_B为±0.05％以内。

3.根据权利要求1或2所述的氮化铝单晶基板，其中，所述比率(ν_A-ν_B)/ν_B为±0.03％以内。

4.一种权利要求1～3中任一项所述的氮化铝单晶基板的制造方法，其特征在于，其依次包括：

工序(a)，将具有主面的氮化铝单晶基板即基底基板在1000～2300℃的一定温度下加热处理60秒以上；以及，

工序(b)，在表面粗糙度以算术平均高度Sa计为0.5nm以下的所述主面上，利用气相生长法使氮化铝单晶层生长。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，在所述工序(a)中，一边供给卤素气体、卤化氢气体和/或氨气，一边进行所述加热处理。

6.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，

所述工序(a)中的加热处理在1000～1700℃的一定温度下进行。

7.根据权利要求4或5所述的制造方法，其中，所述工序(b)中的气相生长法为氢化物气相外延法。

8.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，所述工序(a)中的加热处理以工序(b)中的基板温度±100℃以内的范围内的一定温度进行。