[发明专利]用钴填充基板特征的方法与设备在审
| 申请号： | 201880061451.2 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN111133558A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 侯文婷;雷建新;李靖珠;陶荣 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L21/285;C23C14/24;H01L21/324;C23C16/44;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 填充 特征 方法 设备 | ||
1.一种用于处理基板的方法，包含以下步骤：
经由化学气相沉积(CVD)工艺在基板的顶上和设置在所述基板中的特征内沉积第一钴层；及
通过在具有钴靶材的物理气相沉积(PVD)腔室中执行等离子体处理以将所述第一钴层的一部分回流到所述特征中而至少部分地用钴填充所述特征。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述等离子体处理包括在所述特征内从设置在所述PVD腔室中的钴靶材沉积钴。
3.如权利要求1或2所述的方法，进一步包含以下步骤：
在沉积所述第一钴层之前在所述特征内沉积底层，并将所述第一钴层直接沉积在所述底层的顶上。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述底层包含氮化钛。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述氮化钛具有约2埃至约20埃的厚度。
6.如权利要求1、2、3、4或5所述的方法，其中所述等离子体处理在约350℃至约500℃的温度下执行。
7.如权利要求1、2、3、4、5或6所述的方法，其中所述等离子体处理包含由氢气或惰性气体形成的等离子体。
8.如权利要求1、2、3、4、5、6或7所述的方法，其中所述等离子体处理包含由氩、氪或氖中的一或多种形成的等离子体。
9.如权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的方法，其中在所述等离子体处理期间完全填充所述特征。
10.如权利要求9所述的方法，进一步包含以下步骤：
通过对所述特征施加介于约50℃与约1400℃之间的温度进行退火。
11.如权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的方法，其中所述特征仅在所述等离子体处理期间被部分填充，且进一步包含以下步骤：
随后经由CVD工艺沉积第二钴层以完全填充所述特征。
12.如权利要求11所述的方法，进一步包含以下步骤：
通过对所述特征施加介于约50℃和约1400℃之间的温度进行退火。
13.如权利要求1至12所述的方法，其中所述特征具有小于或等于15nm的宽度。
14.如权利要求1至13所述的方法，其中所述第一钴层沉积至约20埃至约150埃的厚度。
15.一种用于在基板上膜沉积的设备，包含：
中央真空传送腔室；
化学气相沉积(CVD)处理腔室和/或原子层沉积(ALD)处理腔室，被构造成沉积氮化钛并耦接到所述中央真空传送腔室；
化学气相沉积(CVD)处理腔室，被构造成沉积钴并耦接到所述中央真空传送腔室；及
物理气相沉积(PVD)腔室，被构造成沉积钴并耦接到所述中央真空传送腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
