[发明专利]用于混合接合的化学机械抛光

权利要求书

1.一种方法，包括：

在基板的电介质层的表面上形成一个或多个预定开口，所述开口中的至少一者的宽度是至少5微米；

在所述电介质层的所述表面和所述开口上方形成阻挡层；

在所述阻挡层的上方和所述开口内形成导电结构；

对所述导电结构的至少一部分进行抛光以显露出所述阻挡层的表面；以及

对所述阻挡层进行抛光以显露出表面粗糙度小于1nm的平面电介质接合表面，并且使得所述导电结构从所述接合表面凹陷小于20nm。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电结构的在所述开口中的至少一部分耦接到或接触所述基板内的电路或导电结构。

3.一种方法，包括：

在基板的电介质层的表面中形成开口；

在所述电介质层的所述表面上方和所述开口内形成阻挡层；

在所述阻挡层的所述表面上方和所述开口内形成导电结构；

对所述导电结构的至少一部分进行抛光以显露出所述阻挡层的表面，使得所述导电结构的在所述开口内的至少一部分从所述阻挡层的在所述电介质层的所述表面上方的一部分凹陷第一预定量，所述导电结构中的至少一者的宽度为至少5微米并且所述导电结构的布置的节距是所述导电结构的所述宽度的至少1.2倍；以及

对所述阻挡层进行抛光以暴露出所述电介质层的接合表面，使得所述导电结构凹陷第二预定量，所述第二预定量在所述电介质层的所述接合表面下方小于20nm。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述导电结构的在所述开口中的至少一部分耦接到或接触所述基板内的电路或导电结构。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括在所述导电层的沉积之前将晶种层涂覆在所述阻挡层上。

6.一种形成具有导电结构阵列的电介质接合表面的方法，包括：

在所述基板的电介质层中形成一个或多个预定的开口阵列；

在所述电介质层上方，包括在所述开口内形成阻挡层；

在所述阻挡层上方形成导电材料；

对所述导电材料的一部分进行抛光以显露出所述阻挡层的表面并形成具有在所述阻挡层的所述表面下方的第一预定凹陷处的表面的导电结构，所述导电结构的宽度为5-50微米，并且所述导电结构的阵列的图案密度小于30％；以及

对所述阻挡层进行抛光以显露出平面电介质接合表面并在所述平面电介质接合表面下方的所述导电结构中形成第二预定凹陷。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一预定凹陷等于或大于所述第二预定凹陷，并且所述第二预定凹陷小于20nm。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述基板是第一基板，所述方法还包括将所述第一基板的所述平面电介质接合表面接合到第二基板的准备好的平面接合表面。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二基板小于所述第一基板。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一基板的所述导电结构的阵列中的局部垫金属密度大于5％且小于50％。

11.一种部件，包括：

第一基板，所述第一基板至少包括第一平面电介质层，所述第一平面电介质层包括各自具有至少5微米的宽度的导电结构的布置；和

第二基板，所述第二基板至少包括第二平面电介质层，所述第二平面电介质层与所述第一电介质层直接接合，所述第二平面电介质层包括导电结构的布置，所述第二基板上的所述导电结构中的至少一个与所述第一基板上的所述导电结构中的至少一个接触，

其中所述第一基板上的所述导电结构的所述布置的节距是所述基板上的所述导电结构中的至少一个的宽度的至少1.2倍。